[发明专利]半导体装置的制造方法和制造装置、计算机存储介质以及存储有处理方案的存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及例如适用于制造液晶显示装置等半导体装置的半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、计算机存储介质以及存储有处理方案的存储介质。

背景技术

一直以来，在半导体装置的制造工序中，对规定部位进行蚀刻时，大多采用使用药液的湿式蚀刻和使用气体的干式蚀刻。作为干式蚀刻已知例如产生蚀刻气体的等离子体，利用该等离子体的作用进行蚀刻的等离子体蚀刻等。

例如，在液晶显示装置中的非晶硅TFT(薄膜晶体管)的制造工序等中，在对金属膜进行蚀刻形成栅极电极、源极电极和漏极电极的工序，对非晶硅膜进行蚀刻形成岛状构造的工序，形成沟槽(channel)的工序等工序中，使用适当的湿式蚀刻和干式蚀刻。其中，湿式蚀刻大多主要用于金属膜的蚀刻工序中。而且，在上述蚀刻工序中，已知利用含有氧气和含氟气体的混合气体进行灰化，除去半导体层边缘部的隆起层，改善电流的特性的技术(例如参照专利文献1)。

并且，在上述液晶显示装置中的非晶硅TFT的制造工序中，通过使用形成为台阶状的抗蚀剂掩模，使掩模数减少，向节省掩模处理推进。在该节省掩模处理中，通过对形成为台阶状的抗蚀剂掩模在途中进行灰化，改变其形状，作为两种掩模使用，从而能够减少一次掩模形成工序。

并且，在使用上述形成为台阶状的抗蚀剂掩模的工序中，采用进行两次湿式蚀刻工序和两次干式蚀刻工序的方法，通过将第二次湿式蚀刻工序替换为干式蚀刻工序，提高对配线宽度、沟槽长度等的控制性，降低湿式药液的流动成本，缩短工序等，因而能够提高生产力和成品率。

但是，例如，如果对进行了一次湿式蚀刻后的金属膜随后再利用干式蚀刻进行蚀刻，由于在进行湿式蚀刻时与蚀刻液接触而在金属膜的边缘(露出部)形成变质层，该变质层在干式蚀刻时不会被蚀刻而作为残渣以栅栏(fence)状残留下来，存在对以后的工序带来恶性影响、对设备特性带来恶性影响的问题。例如，如果在源极、漏极之间存在上述残渣，有时会产生源极、漏极之间的电短路。

专利文献1：日本特开2005-72443号公报

如上所述，在现有技术中，在包括对金属膜进行湿式蚀刻的工序和随后对该金属膜进行干式的蚀刻工序的情况下，湿式蚀刻时在暴露于药液的金属膜的侧面形成变质层，该变质层在干式蚀刻时不会被蚀刻而作为残渣以栅栏状残留下来，存在对以后的工序带来恶性影响、对设备特性带来恶性影响的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、计算机存储介质以及存储有处理方案的存储介质，该半导体装置的制造方法在包括对金属膜进行湿式蚀刻的工序和随后对该金属膜进行干式蚀刻工序的情况下，能够减轻因在湿式蚀刻工序中在金属膜上形成的变质层的残渣引起的对后续工序带来的恶性影响以及对设备特性带来的恶性影响，从而能够稳定地制造质量优良的半导体装置。

发明方面1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在湿式蚀刻工序中对形成于基板上的金属膜进行蚀刻之后，具有对上述金属膜进行干式蚀刻的干式蚀刻工序。在上述干式蚀刻工序之前，进行除去在上述湿式蚀刻工序中在上述金属膜上形成的变质层的变质层除去工序。

发明方面2所述的半导体装置的制造方法为发明方面1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：将上述基板收容在处理腔室内，不将上述基板从上述处理腔室内搬出，连续进行上述变质层除去工序和上述干式蚀刻工序。

发明方面3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在湿式蚀刻工序中隔着抗蚀剂掩模对形成于基板上的金属膜进行蚀刻之后，具有对上述金属膜进行干式蚀刻的干式蚀刻工序。包括：灰化工序，对上述抗蚀剂掩模的一部分进行灰化，并改变上述抗蚀剂掩模的形状；变质层除去工序，除去在上述湿式蚀刻工序中在上述金属膜上形成的变质层；和干式蚀刻工序，隔着在上述灰化工序中改变形状后的上述抗蚀剂掩模对上述金属膜进行干式蚀刻。

发明方面4所述的半导体装置的制造方法为发明方面3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：将上述基板收容在处理腔室内，不将上述基板从上述处理腔室内搬出，连续进行上述灰化工序、上述变质层除去工序和上述干式蚀刻工序。