[发明专利]研磨垫及其制造方法和研磨垫用缓冲层

权利要求书

1.一种研磨垫，具有在树脂中分散有磨粒的研磨层，其特征在于，所述树脂的主链是在总的羧酸成分中含有60摩尔％以上芳香族二羧酸的聚酯，并且所述树脂的侧链是含亲水性官能基的自由基聚合性单体的聚合物。

2.一种研磨垫，具有在树脂中分散有磨粒的研磨层，其特征在于，所述树脂的主链是以在总的羧酸成分中含有60摩尔％以上芳香族二羧酸的聚酯作为主要组成成分的聚酯聚氨酯，并且所述树脂的侧链是含亲水性官能基的自由基聚合性单体的聚合物。

3.根据权利要求1或2所述的研磨垫，其特征在于，形成研磨层的树脂的比重为1.05～1.35范围，玻璃化转变温度为10℃以上。

4.根据权利要求1～3的任意一项中所述的研磨垫，其特征在于，形成研磨层的树脂是将玻璃化转变温度为60℃以上的树脂和30℃以下的树脂混合而成。

5.根据权利要求1～4的任意一项中所述的研磨垫，其特征在于，磨粒的平均粒径为5～1000nm。

6.根据权利要求1～5的任意一项中所述的研磨垫，其特征在于，磨粒是选自氧化硅、氧化铈、氧化铝、氧化锆、氧化铁、氧化铬、以及金刚石中的至少1种。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的研磨垫，其特征在于，研磨层中的磨粒含量为20～95重量％。

8.根据权利要求1～7的任意一项中所述的研磨垫，其特征在于，研磨层中含有气泡。

9.根据权利要求8所述的研磨垫，其特征在于，气泡的平均直径为10～100μm。

10.根据权利要求1～9的任意一项中所述的研磨垫，其特征在于，所述研磨层形成在高分子基板上。

11.根据权利要求10所述的研磨垫，其特征在于，所述高分子基板是聚酯薄板、丙烯酸薄板、ABS树脂薄板、聚碳酸酯或氯乙烯树脂薄板。

12.根据权利要求10所述的研磨垫，其特征在于，所述高分子基板为聚酯薄板。

13.根据权利要求1～12的任意一项中所述的研磨垫，其特征在于，所述研磨层的厚度为10～500μm。

14.根据权利要求10～13的任意一项中所述的研磨垫，其特征在于，具有，在形成有研磨层的高分子基板上层叠有比研磨层软的材料的缓冲层的结构。

15.根据权利要求14所述的研磨垫，其特征在于，缓冲层以阿斯卡C硬度为60以下。

16.根据权利要求14或15所述的研磨垫，其特征在于，被层叠的缓冲层是聚酯纤维的无纺布、在该无纺布中浸渍聚氨酯树脂的、聚氨酯树脂发泡体、或者聚乙烯树脂发泡体。

17.根据权利要求14～16的任意一项中所述的研磨垫，其特征在于，研磨层的厚度为250μm～2mm。

18.根据权利要求10～17的任意一项中所述的研磨垫，其特征在于，研磨层和高分子基板之间的粘合强度在进行横切试验时，残存数为90以上。

19.根据权利要求14～18的任意一项中所述的研磨垫，其特征在于，高分子基板和缓冲层用粘接剂或双面胶带贴合在一起。

20.根据权利要求14～18的任意一项中所述的研磨垫，其特征在于，高分子基板和缓冲层的粘接强度，在180度剥离试验中具有600g/cm以上的强度。

21.根据权利要求1～20的任意一项中所述的研磨垫，其特征在于，在研磨层形成有槽。

22.根据权利要求21所述的研磨垫，其特征在于，槽是格子状。

23.根据权利要求21或22所述的研磨垫，其特征在于，槽的槽间距为10mm以下。

24.根据权利要求21～23的任意一项中所述的研磨垫，其特征在于，槽是同心圆状。

25.根据权利要求21～24的任意一项中所述的研磨垫，其特征在于，槽的深度为300μm以上。