[发明专利]磊晶基板及液相磊晶生长方法

权利要求书

1.一种外延基板，是通过液相外延生长方法在基板上层积外延层而成的外延基板，其特征在于：

层积在上述基板上的外延层中的碳浓度轮廓，与基于由碳制成的用以保持溶剂的治具供给而得到的碳浓度的±50％的浓度轮廓交叉。

2.一种外延基板，是通过液相外延生长方法在基板上层积外延层而成的外延基板，其特征在于：

层积在上述基板上的外延层中的碳浓度轮廓，具有从基于由碳制成的用以保持溶剂的治具供给而得到的碳浓度的±50％的浓度轮廓所包围的区域脱离的部分，并具有5×10¹⁵atoms/cm³以上的部分。

3.根据权利要求1所述的外延基板，其中，层积在上述基板上的外延层的至少一层积部位中的碳浓度，比在该层积部位之前被层积的部位中的碳浓度高。

4.根据权利要求1所述的外延基板，其中，层积在上述基板上的外延层，具有其碳浓度在1×10¹⁶atoms/cm³以上的层积部分，并具有其碳浓度在5×10¹⁵atoms/cm³以下的层积部分。

5.根据权利要求1所述的外延基板，其中，层积在上述基板上的外延层，是依次层积二个以上的层而成。

6.根据权利要求2所述的外延基板，其中，层积在上述基板上的外延层，是依次层积二个以上的层而成。

7.根据权利要求3所述的外延基板，其中，层积在上述基板上的外延层，是依次层积二个以上的层而成。

8.根据权利要求4所述的外延基板，其中，层积在上述基板上的外延层，是依次层积二个以上的层而成。

9.根据权利要求5所述的外延基板，其中，上述二个以上的层，从基板侧依次是n型层、p型层、p型层。

10.根据权利要求6所述的外延基板，其中，上述二个以上的层，从基板侧依次是n型层、p型层、p型层。

11.根据权利要求7所述的外延基板，其中，上述二个以上的层，从基板侧依次是n型层、p型层、p型层。

12.根据权利要求8所述的外延基板，其中，上述二个以上的层，从基板侧依次是n型层、p型层、p型层。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的外延基板，其中，上述外延层是由化合物半导体所构成的层。

14.根据权利要求13所述的外延基板，其中，上述化合物半导体是GaP。

15.一种液相外延生长方法，其在制造权利要求1所述的外延基板时，使溶剂接触基板而使外延层液相外延生长，其特征在于：

当使外延层液相外延生长在上述基板上的时候，通过使烃气体接触上述溶剂，将碳供给至上述生长的外延层中，而将碳掺杂在该外延层中。

16.根据权利要求15所述的液相外延生长方法，其中，在使上述外延层液相外延生长时，用以保持上述溶剂的治具，是由石英制成。

17.根据权利要求16所述的液相外延生长方法，其中，掺杂在上述外延层中的碳浓度，是通过调节上述烃气体的流量来进行控制。

18.根据权利要求16所述的液相外延生长方法，其中，上述外延层是由化合物半导体所构成的层。

19.根据权利要求17所述的液相外延生长方法，其中，上述外延层是由化合物半导体所构成的层。

20.根据权利要求18或19所述的液相外延生长方法，其中，上述化合物半导体为GaP。

21.根据权利要求15～19中任一项所述的液相外延生长方法，其中，上述烃气体为甲烷。

22.根据权利要求20所述的液相外延生长方法，其中，上述烃气体为甲烷。