[发明专利]高清晰度掩模及其制造方法

权利要求书

1.一种高清晰度掩模，包括：

石英片；

相移掩模即PSM区，以预定图案形成在该石英片上；和

无铬掩模即CLM区，按预定大小相比该PSM区以更精密的图案形成。

2.如权利要求1所述的高清晰度掩模，其中所述CLM区是使得石英片以预定图案蚀刻的区域。

3.如权利要求1所述的高清晰度掩模，其中用以形成所述CLM区的图案具有预定的高度差。

4.如权利要求3所述的高清晰度掩模，其中所述高度差等于透射光的半波长。

5.一种高清晰度掩模的制造方法，包括以下步骤：

提供石英片；

在该石英片的相移掩模即PSM区和无铬掩模即CLM区中分别形成PSM图案和CLM图案；

通过使用所述CLM图案作为掩模来蚀刻该石英片从而形成CLM区；和去除该抗蚀图案。

6.如权利要求5所述的方法，其中在形成PSM图案和CLM图案的步骤中包括以下步骤：

在该石英片上形成相移器；和

通过蚀刻该相移器在所述PSM区和所述CLM区中形成PSM图案和CLM图案。

7.如权利要求5所述的方法，其中在通过使用所述CLM图案作为掩模来蚀刻该石英片从而形成CLM区的步骤中，在配置有所述PSM图案和CLM图案的所述石英片上涂覆抗蚀剂，然后

去除在配置有所述CLM图案的区域中的抗蚀剂。

8.如权利要求5所述的方法，其中形成CLM区的步骤包括：对所述石英片进行深度为透射光的半波长的蚀刻。