[发明专利]适合于酸生成剂的盐以及含有该盐的化学放大型正性抗蚀剂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种适合于酸生成剂的盐，该酸生成剂用于在半导体精细加工中使用的化学放大型抗蚀剂组合物，并且涉及一种含有该盐的化学放大型正性抗蚀剂组合物。

背景技术

用于采用光刻(lithography)法的半导体微型制造的化学放大型正性抗蚀剂组合物含有酸生成剂，该酸生成剂包含通过辐照产生酸的化合物。

在半导体微型制造中，适宜的是形成具有高分辨率和优异曝光边缘的图案，并且期望化学放大型抗蚀剂组合物产生这样的图案。

US 6548221 B2和US 6383713 B1公开了一种化学放大抗蚀剂组合物，该组合物含有作为酸生成剂的三苯锍全氟丁磺酸盐。

US 2003/0194639 A1也公开了一种化学放大型抗蚀剂组合物，该组合物含有作为酸生成剂的下式所示的盐等：

发明内容

本发明的一个目的是提供一种适合于酸生成剂的盐，所述酸生成剂能够提供形成具有高分辨率和优异曝光边缘的化学放大型抗蚀剂组合物。

本发明的其它目的是提供用于所述盐的合成中间体，并且提供制备所述合成中间体或所述盐的方法。

本发明的再一个目的是提供一种含所述盐的化学放大型抗蚀剂组合物。

本发明的这些和其它目的将由以下的描述变得明显。

本发明涉及以下方面：

<1>一种式(I)表示的盐：

其中，X表示C1-C12二价直链或支链烃基，Y表示可以被至少一个取代基取代的C1-C30烃基，并且在所述C1-C30烃基中的至少一个-CH₂-可以被-O-或-CO-取代，Q¹和Q²各自独立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基，并且A⁺表示有机抗衡离子；

<2>根据<1>所述的盐，其中Q¹和Q²各自独立地表示氟原子或三氟甲基；

<3>根据<1>或<2>所述的盐，其中所述有机抗衡离子是选自下列阳离子中的至少一种阳离子，

式(IIa)所示阳离子：

其中P¹、P²和P³各自独立地表示可以被选自羟基、C3-C12环烃基和C1-C12烷氧基中的至少一个取代的C1-C30烷基；或者可以被选自羟基和C1-C12烷氧基中的至少一个取代的C3-C30环烃基，

式(IIb)表示的阳离子：

其中，P⁴和P⁵各自独立地表示氢原子、羟基、C1-C12烷基或C1-C12烷氧基，

式(IIc)表示的阳离子：

其中，P⁶和P⁷各自独立地表示C1-C12烷基或C3-C12环烷基，或者P⁶和P⁷结合形成C3-C12二价无环烃基，所述C3-C12二价无环烃基与相邻的S⁺一起形成环，并且所述二价无环烃基中的至少一个-CH₂-可以被-CO-、-O-或-S-取代，

P⁸表示氢原子，P⁹表示可以被取代的C1-C12烷基、C3-C12环烷基或芳族基，或者P⁸和P⁹结合形成二价无环烃基，所述二价无环烃基可以与相邻的-CHCO-一起形成2-氧代环烷基，并且在所述二价无环烃基中的至少一个-CH₂-可以被-CO-、-O-或-S-取代，和

式(IId)表示的阳离子：

其中，P¹⁰、P¹¹、P¹²、P¹³、P¹⁴、P¹⁵、P¹⁶、P¹⁷、P¹⁸、P¹⁹、P²⁰和P²¹各自独立地表示氢原子、羟基、C1-C12烷基或C1-C12烷氧基，B表示硫或氧原子，并且k表示0或1；