[发明专利]半导体处理用的热处理装置

权利要求书

1.一种半导体处理用的热处理装置，其特征在于，包括：

反应管，具有对以一定间隔层叠的多个被处理基板进行容纳的 处理区域；

在所述处理区域内支承所述被处理基板的支承部件；

排出所述处理区域内的气体的排气系统；

加热所述处理区域内的所述被处理基板的加热器；

一体地附设在所述反应管的壁的外侧、并沿上下方向延伸的气 体供给管路；

形成在所述反应管的所述壁上，并且与所述气体供给管路连通 的气体放出开口；和

与所述气体供给管路的底部连接，经由所述气体供给管路和所 述气体放出开口，将处理气体供给所述处理区域的气体供给系统，

所述反应管在底部具有搬入搬出所述支承部件的搬送口，并且 具有包围所述搬送口与所述反应管一体地形成的凸缘，所述凸缘配 置成与开闭所述搬送口的盖体接合，

所述气体供给管路的底部由所述凸缘的上表面限定，在所述凸 缘内形成将来自所述气体供给系统的所述处理气体导入所述气体供 给管路中的气体流路，

所述气体供给管路的一面开口，所述开口的边缘与所述反应管 的外面焊接，

所述气体供给管路具有底部的总管部分和从所述总管部分向上 方延伸的纵长部分，所述气体流路具有与不同的处理气体对应的多 个气体流路，这些与所述总管部分连接，

所述总管部分比所述纵长部分还宽，

供给所述气体供给管路内的处理气体的压力比所述气体流路内 的压力低。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述反应管和所述气体供给管路由相同的耐热性绝缘性材料制 成。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于：

所述耐热性绝缘性材料为石英。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述气体供给管路在覆盖所述处理区域的范围内在上下方向延 伸，所述气体放出开口，在所述反应管的所述壁的侧部上，在覆盖 所述处理区域的范围内，具有沿上下方向排列的多个气体喷出孔。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于：

所述气体放出开口还具有配置在比所述处理区域还靠上侧的位 置上的均压化孔，所述均压化孔的开口面积比所述多个气体喷出孔 的各自的开口面积大。

6.如权利要求4所述的装置，其特征在于：

所述气体供给管路内被从所述气体供给管路的底部向上方延伸 的分隔壁分割为多个管路部分，所述多个管路部分在不同高度的位 置上具有气体喷出孔，所述气体流路具有将共同的处理气体个别地 供给所述多个管路部分的多个气体流路。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于：

所述加热器具有配置在所述反应管的周围并个别地进行控制的 多个加热器，以便分别加热配置在所述处理区域上下的多个区，所 述多个管路部分在与所述多个区的各个对应的位置上具有气体喷出 孔。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述气体供给管路从所述反应管的底部延伸至顶部，所述气体 放出开口具有在所述反应管的所述壁的顶部形成的气体喷出孔。