[发明专利]等离子体处理装置用的载置台以及等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200710140387.0 | 申请日： | 2007-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101123200A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 舆石公;桧森慎司;松山昇一郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/00;C23C16/458;C23C16/513;H01J37/32;H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 载置台 以及 | ||
1.一种等离子体处理装置用的载置台，其用于在载置面上载置被处理基板，特征在于，包括：
导电体部件，连接于高频电源，兼作为等离子体生成用或等离子体中的离子引入用的电极；
电介体层，以覆盖该导电体部件的上面中央部的方式设置，用于使通过被处理基板向等离子体施加的高频电场均匀；和
静电卡盘，层积在该电介体层上，以高频能够通过其间的方式埋设着在载置台的径向上互相隔离并分割为多个的电极膜，其中，
所述电介体层的外边缘，位于被分割的电极膜间的隔离区域内部边缘的正下方或更靠外侧的位置，
被分割的电极膜相对于高频相互绝缘。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置用的载置台，其特征在于：
所述电介体层，以越往下外边缘越位于内侧的方式层积多层，
所述电极膜的分割数目，比电介体层的层数至少多一个。
3.一种等离子体处理装置用的载置台，其用于在载置面上载置被处理基板，特征在于，包括：
导电体部件，连接于高频电源，兼作为等离子体生成用或等离子体中的离子引入用的电极；
电介体层，以覆盖该导电体部件的上面中央部的方式设置，用于使通过被处理基板向等离子体施加的高频电场均匀；以及
静电卡盘，层积在该电介体层上，以高频能够通过的方式埋设着在对应于载置台中央部的位置形成有孔部的电极膜，其中，
所述电介体层，位于该孔部的下方。
4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置用的载置台，其特征在于：
所述电介体层形成为圆柱状。
5.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置用的载置台，其特征在于：
所述电介体层的厚度在周边部小于中央部。
6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置用的载置台，其特征在于：
从所述高频电源供给的高频的频率为13MHz以上。
7.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
对被处理基板进行等离子体处理的处理容器；
将处理气体导入该处理容器的处理气体导入部；
设置在所述处理容器内的如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置用的载置台；
以与该载置台相对的方式设置在该载置台的上方侧的上部电极；和
用于对所述处理容器内进行真空排气的单元。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
