[发明专利]芯片电阻器及其制法无效

专利信息
申请号: 200710140397.4 申请日: 2007-08-10
公开(公告)号: CN101364462A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 蔡荣泽 申请(专利权)人: 斐成企业股份有限公司
主分类号: H01C17/00 分类号: H01C17/00;H01C7/00;H01C3/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 电阻器 及其 制法
【权利要求书】:

1.一种芯片电阻器的制法,包括:

提供基材及电阻体;

通过一热熔接合层相对接合该基材与该电阻体;以及

覆盖一保护层至该电阻体局部表面,以使该电阻体表面未覆盖该保护层的部分区隔成二电极区。

2.根据权利要求1所述的芯片电阻器的制法,其中,该热熔接合层为相互间隔的至少二焊块。

3.根据权利要求2所述的芯片电阻器的制法,其中,是由焊接材料预先涂布至该基材表面,于贴合该电阻体后,经热熔还原成接合该基材与该电阻体的该焊块。

4.根据权利要求2所述的芯片电阻器的制法,其中,是由焊接材料预先涂布至该电阻体表面,于贴合该基材后,经热熔还原成接合该基材与该电阻体的该焊块。

5.根据权利要求3或4所述的芯片电阻器的制法,其中,该焊接材料为银膏。

6.根据权利要求3或4所述的芯片电阻器的制法,其中,该焊接材料经烘烤热熔并经干燥而接合固定该基材与该电阻体。

7.根据权利要求1所述的芯片电阻器的制法,其中,该保护层覆盖至该电阻体的中段区域表面,以使该电阻体表面对应中段区域的两端区隔成二电极区。

8.根据权利要求7所述的芯片电阻器的制法,还包括于该电阻体的二电极区表面分别形成电极。

9.根据权利要求8所述的芯片电阻器的制法,其中,该电极是以滚镀方式形成至该电极区表面。

10.根据权利要求1所述的芯片电阻器的制法,其中,该基材为陶瓷基板。

11.根据权利要求10所述的芯片电阻器的制法,其中,该陶瓷基板的材料为氧化铝。

12.根据权利要求1所述的芯片电阻器的制法,其中,该电阻体为中央具有冲孔的金属片。

13.根据权利要求1所述的芯片电阻器的制法,其中,该电阻体为表面具有沟槽的金属镀膜。

14.根据权利要求1所述的芯片电阻器的制法,其中,该电阻体为表面具有沟槽的金属印膜。

15.一种芯片电阻器,包括:

基材;

电阻体;

热熔接合层,相对接合该基材与该电阻体;以及

保护层,覆盖至该电阻体的局部表面,使该电阻体表面未覆盖该保护层的部分区隔成二电极区。

16.根据权利要求15所述的芯片电阻器,其中,该热熔接合层为相互间隔的至少二焊块。

17.根据权利要求16所述的芯片电阻器,其中,该焊块的材料为银。

18.根据权利要求15所述的芯片电阻器,其中,该保护层覆盖至该电阻体的中段区域表面,使该电阻体表面对应中段区域的两端区隔成二电极区。

19.根据权利要求18所述的芯片电阻器,复包括二电极,分别形成于该电阻体的二电极区表面。

20.根据权利要求15所述的芯片电阻器,其中,该基材为陶瓷基板。

21.根据权利要求15所述的芯片电阻器,其中,该电阻体为选自中央具有冲孔的金属片、表面具有沟槽的金属镀膜、及表面具有沟槽的金属印膜的其中一者。

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