[发明专利]开孔定阻式芯片电阻器及其制法无效

专利信息
申请号: 200710140398.9 申请日: 2007-08-10
公开(公告)号: CN101364461A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 蔡荣泽 申请(专利权)人: 斐成企业股份有限公司
主分类号: H01C7/00 分类号: H01C7/00;H01C3/00;H01C17/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 开孔定阻式 芯片 电阻器 及其 制法
【权利要求书】:

1.一种开孔定阻式芯片电阻器,包括:

基材;

金属片,具有一中央开孔以定义其电阻值;

结合层,相对结合该基材与该金属片;以及

保护层,覆盖至该金属片的局部表面,使该金属片表面未覆盖该保护层的部分区隔成二电极区。

2.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该金属片为铜、锰、及锡的合金金属片。

3.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该金属片为铜、锰、及镍的合金金属片。

4.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该中央开孔的形状为选自圆形、方形、菱形、梯形、及等角多边形的其中一者。

5.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该金属片是以该中央开孔的面积定义其电阻值,且该电阻值与该中央开孔的面积成正比。

6.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该保护层覆盖至该金属片的中段区域表面,使该金属片表面对应中段区域的两端区隔成二电极区。

7.根据权利要求6所述的开孔定阻式芯片电阻器,还包括二电极,分别形成于该金属片的二电极区表面。

8.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该保护层的材料为环氧树脂。

9.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该基材为陶瓷基板。

10.根据权利要求9所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该陶瓷基板的材料为氧化铝。

11.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该结合层为整层的焊块、及相互间隔的至少二焊块的其中一者。

12.一种开孔定阻式芯片电阻器的制法,包括:

提供基材及金属片,其中该金属片具有一中央开孔以定义其电阻值;

通过一结合层相对结合该基材与该金属片;以及

覆盖一保护层至该金属片局部表面,以使该金属片表面未覆盖该保护层的部分区隔成二电极区。

13.根据权利要求12所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该金属片的中央开孔是以选自冲压及切削的其中一种方式制成的。

14.根据权利要求13所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该冲压方式为冲孔作业。

15.根据权利要求13所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该切削方式为钻孔作业及铣孔作业的其中一者。

16.根据权利要求12所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该结合层为整层的焊块、及相互间隔的至少二焊块的其中一者。

17.根据权利要求16所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,是由焊接材料预先涂布至该基材表面,于贴合该金属片后,经热熔还原成接合该基材与该金属片的该焊块。

18.根据权利要求16所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,是由焊接材料预先涂布至该金属片表面,于贴合该基材后,经热熔还原成接合该基材与该金属片的该焊块。

19.根据权利要求17或18所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该焊接材料为银膏。

20.根据权利要求17或18所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该焊接材料经烘烤热熔并经干燥而接合固定该基材与该金属片。

21.根据权利要求12所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该保护层覆盖至该金属片的中段区域表面,以使该金属片表面对应中段区域的两端区隔成二电极区。

22.根据权利要求12所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,还包括于该金属片的二电极区表面分别形成电极。

23.根据权利要求22所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该电极是以滚镀方式形成至该电极区表面。

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