[发明专利]开孔定阻式芯片电阻器及其制法无效
申请号: | 200710140398.9 | 申请日: | 2007-08-10 |
公开(公告)号: | CN101364461A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 蔡荣泽 | 申请(专利权)人: | 斐成企业股份有限公司 |
主分类号: | H01C7/00 | 分类号: | H01C7/00;H01C3/00;H01C17/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开孔定阻式 芯片 电阻器 及其 制法 | ||
1.一种开孔定阻式芯片电阻器,包括:
基材;
金属片,具有一中央开孔以定义其电阻值;
结合层,相对结合该基材与该金属片;以及
保护层,覆盖至该金属片的局部表面,使该金属片表面未覆盖该保护层的部分区隔成二电极区。
2.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该金属片为铜、锰、及锡的合金金属片。
3.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该金属片为铜、锰、及镍的合金金属片。
4.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该中央开孔的形状为选自圆形、方形、菱形、梯形、及等角多边形的其中一者。
5.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该金属片是以该中央开孔的面积定义其电阻值,且该电阻值与该中央开孔的面积成正比。
6.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该保护层覆盖至该金属片的中段区域表面,使该金属片表面对应中段区域的两端区隔成二电极区。
7.根据权利要求6所述的开孔定阻式芯片电阻器,还包括二电极,分别形成于该金属片的二电极区表面。
8.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该保护层的材料为环氧树脂。
9.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该基材为陶瓷基板。
10.根据权利要求9所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该陶瓷基板的材料为氧化铝。
11.根据权利要求1所述的开孔定阻式芯片电阻器,其中,该结合层为整层的焊块、及相互间隔的至少二焊块的其中一者。
12.一种开孔定阻式芯片电阻器的制法,包括:
提供基材及金属片,其中该金属片具有一中央开孔以定义其电阻值;
通过一结合层相对结合该基材与该金属片;以及
覆盖一保护层至该金属片局部表面,以使该金属片表面未覆盖该保护层的部分区隔成二电极区。
13.根据权利要求12所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该金属片的中央开孔是以选自冲压及切削的其中一种方式制成的。
14.根据权利要求13所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该冲压方式为冲孔作业。
15.根据权利要求13所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该切削方式为钻孔作业及铣孔作业的其中一者。
16.根据权利要求12所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该结合层为整层的焊块、及相互间隔的至少二焊块的其中一者。
17.根据权利要求16所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,是由焊接材料预先涂布至该基材表面,于贴合该金属片后,经热熔还原成接合该基材与该金属片的该焊块。
18.根据权利要求16所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,是由焊接材料预先涂布至该金属片表面,于贴合该基材后,经热熔还原成接合该基材与该金属片的该焊块。
19.根据权利要求17或18所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该焊接材料为银膏。
20.根据权利要求17或18所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该焊接材料经烘烤热熔并经干燥而接合固定该基材与该金属片。
21.根据权利要求12所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该保护层覆盖至该金属片的中段区域表面,以使该金属片表面对应中段区域的两端区隔成二电极区。
22.根据权利要求12所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,还包括于该金属片的二电极区表面分别形成电极。
23.根据权利要求22所述的开孔定阻式芯片电阻器的制法,其中,该电极是以滚镀方式形成至该电极区表面。
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