[发明专利]用于气流测量的方法及装置有效
申请号: | 200710140455.3 | 申请日: | 2007-08-14 |
公开(公告)号: | CN101127296A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 贾里德·阿曼德·李;埃兹拉·罗伯特·古德;张春雷;詹姆斯·帕特里克·克鲁斯;理查德·查尔斯·福韦尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 气流 测量 方法 装置 | ||
1.一种用于测量具有处理腔的处理系统中气流的装置,包括:
气体源;
具有入口、第一出口和第二出口的分流阀,所述第二出口与所述处理腔联接;
流动联接于所述气体源与所述分流阀的所述入口之间的调节装置;
流动联接于所述分流阀的所述第一出口的孔板,所述孔板具有与所述处理腔相同的流阻;以及
配置用于接收通过所述孔板的气流的传感线路。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述调节装置还包括气相分配模块、分流器、压力控制器、调节器或质量流量控制器的至少其中之一。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述传感线路还包括:
具有校准容积的槽。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述传感线路还包括:
设置在所述校准容积中的振动部件。
5.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述传感线路还包括:
传感器,其配置用于检测设置在所述校准容积中的气体的电学或磁性特性的至少其中之一。
6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述传感线路还包括:
由悬臂支撑的槽。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述传感线路还包括:
用于接收所述气流的校准容积;以及
设置用于测量所述校准容积中的气体的至少一个特性和/或属性的传感器,通过该至少一个特性和/或属性可获得进入所述传感线路的气体的流速和/或压力。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述传感线路还包括:
用于接收所述气流的非校准容积;以及
设置用于测量所述非校准容积中的气体的至少一个特性和/或属性的变化的传感器,通过所述变化可获得进入所述传感线路的气体的流速和/或压力。
9.一种用于测量半导体处理系统中的气流的方法,包括:
使用气流控制装置设定气流;
将来自所述气流控制装置的气体通过具有与处理腔相同的流阻的孔板,流入传感线路;以及
将使用所述传感线路确定的气流与所述气流控制装置的所述设定进行比较。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,还包括:
对所述传感线路中存在的气体的特性进行采样,直到达到终点。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述采样还包括:
进行采样,直到达到可靠度。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述采样还包括:
进行采样,直到数据收敛到预定的范围中。
13.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述采样还包括:
以小于约5毫秒的频率进行采样。
14.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,还包括:
将气体流入所述传感线路的校准容积中;
感应所述校准容积中的气体的至少一个特性和/或属性;以及
通过所感应的特性和/或属性获得进入所述传感线路的气体的流速和/或压力。
15.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,还包括:
将气体流入所述传感线路的非校准容积中;
感应所述非校准容积中的气体的至少一个特性和/或属性;以及
通过所感应的特性和/或属性获得进入所述传感线路的气体的流速和/或压力。
16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,获得进入所述传感线路的气体的流速和/或压力不必使用所述传感线路的已知的上游容积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造