[发明专利]轨至轨AB类放大器

权利要求书

1.一种轨至轨AB类放大器，包括：

输入电路，用于将第一输入信号和第二输入信号之间的电压差转换为相应电流，输入电路包括第一输入PMOS晶体管、第二输入PMOS晶体管、第一输入NMOS晶体管和第二输入NMOS晶体管，将第一输入PMOS晶体管和第二输入PMOS晶体管以及第一输入NMOS晶体管和第二输入NMOS晶体管的每一对构造为交迭的渥尔曼放大器电路；

第一电流加法器电路，包括第一渥尔曼放大器PMOS晶体管、第二渥尔曼放大器PMOS晶体管、耦接到第二渥尔曼放大器PMOS晶体管的源极的第一电平移位器、以及第一增强放大器，第一增强放大器接收第一偏压和第一电平移位器的输出，第一增强放大器将增强的输出信号输出到第二渥尔曼放大器PMOS晶体管的栅极，第一渥尔曼放大器PMOS晶体管具有耦接到第一输入NMOS晶体管的漏极的源极，第二渥尔曼放大器PMOS晶体具有耦接到第二输入NMOS晶体管的漏极的源极，第一电流加法器电路将第一输入NMOS晶体管的漏极电流和第二输入NMOS晶体管的漏极电流相加，第一电流加法器电路将相加的电流输出到第二渥尔曼放大器PMOS晶体管的漏极；

第二电流加法器电路，包括第一渥尔曼放大器NMOS晶体管、第二渥尔曼放大器NMOS晶体管、耦接到第二渥尔曼放大器NMOS晶体管的源极的第二电平移位器、以及第二增强放大器，第二增强放大器接收第二偏压和第二电平移位器的输出，第二增强放大器将增强的输出信号输出到第二渥尔曼放大器NMOS晶体管的栅极，第一渥尔曼放大器NMOS晶体管具有耦接到第一输入PMOS晶体管的漏极的源极，第二渥尔曼放大器NMOS晶体具有耦接到第二输入PMOS晶体管的漏极的源极，第二电流加法器电路将第一输入PMOS晶体管的漏极电流和第二输入PMOS晶体管的漏极电流相加，第二电流加法器电路将相加的电流输出到第二渥尔曼放大器NMOS晶体管的漏极；

浮动电流源，耦接在第一渥尔曼放大器PMOS晶体管的漏极和第一渥尔曼放大器NMOS晶体管的漏极之间，浮动电流源控制第一电流加法器电路和第二电流加法器电路的相应偏置电流；

控制电路，耦接在第二渥尔曼放大器PMOS晶体管的漏极和第二渥尔曼放大器NMOS晶体管的漏极之间，控制电路控制第二渥尔曼放大器PMOS晶体管的漏极的电压电平和第二渥尔曼放大器NMOS晶体管的电压电平；

输出电路，耦接到第二渥尔曼放大器PMOS晶体管的漏极和第二NMOS晶体管的漏极，并且生成放大器的输出。

2.如权利要求1所述的轨至轨AB类放大器，其中输入电路还包含：

第一电流源，耦接到电源电压，第一电流源向第一输入NMOS晶体管和第二输入NMOS晶体管提供电流；以及

第二电流源，耦接到地电压，第二电流源向第一输入PMOS晶体管和第二输入PMOS晶体管提供电流。

3.如权利要求1所述的轨至轨AB类放大器，其中第一电流加法器电路还包含：

第一PMOS晶体管，具有耦接到电源电压的源极、耦接到第一渥尔曼放大器PMOS晶体管的漏极的栅极、以及耦接到第一输入NMOS晶体管的漏极的漏极；以及

第二PMOS晶体管，具有耦接到电源电压的源极、耦接到第一PMOS晶体管的栅极的栅极、以及耦接到第二输入NMOS晶体管的漏极的漏极。

4.如权利要求3所述的轨至轨AB类放大器，其中第一电平移位器包含：

第三PMOS晶体管，具有耦接到第二渥尔曼放大器PMOS晶体管的源极的源极，第三PMOS晶体管是二极管连接的；以及

第一电流源，耦接在地电压和第三PMOS晶体管之间，第一电流源向第三PMOS晶体管提供电流。

5.如权利要求4所述的轨至轨AB类放大器，其中第一增强放大器包含：

第一增强晶体管，用于提供恒定电流，第一增强晶体管具有耦接到电源电压的源极和耦接到第一PMOS晶体管的栅极的栅极；

第二增强晶体管，具有耦接到第一增强晶体管的漏极的源极，以及用于接收第一偏压的栅极；

第三增强晶体管，具有耦接到第一增强晶体管的漏极的源极，以及耦接到第三PMOS晶体管的漏极的栅极；

第四增强晶体管，耦接在第二增强晶体管和地电压之间，第四增强晶体管是二极管连接的；以及

第五增强晶体管，具有耦接到第三增强晶体管的漏极的漏极、耦接到第四增强晶体管的栅极和耦接到地电压的源极。