[发明专利]封装基板结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

一基板结构，该基板结构包括多个凸块垫及打线垫、一图案化的防焊层、多个金属凸块及一形成于该金属凸块及打线垫表面的金属保护层，所述的凸块垫包括有一蚀刻停止层及一金属层，所述打线垫包括有一蚀刻停止层及一金属层，且所述的凸块垫的蚀刻停止层及金属层相互叠合，所述的打线垫的蚀刻停止层及金属层相互叠合，又所述的图案化的防焊层显露出所述的蚀刻停止层表面及金属层表面，所述的金属凸块配置于该凸块垫的金属层的表面，且部分金属凸块表面延伸出该防焊层的表面，所述的图案化的防焊层的一表面是与其所显露出的所述的蚀刻停止层的表面齐平；

至少二芯片，其经由多个焊料凸块及多条金属线而电性连接至该基板结构，所述的焊料凸块配置对应于所述的金属凸块的位置，且所述的金属线配置对应于该打线垫的位置；

一第一树脂部，其填充于具有所述的焊料凸块的区域；以及

一第二树脂部，其完整覆盖接置有芯片侧的基板结构表面。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述的至少二芯片中的至少一芯片经由一金属线而与该打线垫电性连接，且至少另一芯片经由焊料凸块而与该凸块垫电性连接。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中，该蚀刻停止层使用的材料为金、镍、钯、银、锡、镍/钯、铬/钛、镍/金、钯/金、镍/钯/金或其组合。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中，该金属层使用的材料为铜、镍、铬、钛、铜/铬合金或锡/铅合金。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述的金属凸块使用的材料为铜、镍、铬、钛、铜/铬合金或锡/铅合金。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中，该金属保护层使用的材料为镍/钯、铬/钛、镍/金、钯/金、镍/钯/金或其组合。