[发明专利]半导体功率变换器的控制装置有效
申请号: | 200710140887.4 | 申请日: | 2007-08-10 |
公开(公告)号: | CN101123402A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | 片冈秋久;石塚智嗣;秀瀬浩一;田中茂 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H02M7/00 | 分类号: | H02M7/00;H02M7/537;H02M7/5387 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 功率 变换器 控制 装置 | ||
1.一种控制装置,用于控制采用固定脉冲开关模式并且其AC侧与变压器相连接的半导体三相功率变换器,所述控制装置包括:非对称磁化抑制控制器,被配置为根据磁通、激励电流或者从变压器检测到的代表它们中的任何一个的值,对要被施加到所述功率变换器的三相开关元件的每个基本固定脉冲开关模式产生校正值;相位校正器,被配置为在任一个开关元件不执行开关动作的定时逐一切换校正值;以及模式发生器,被配置为根据由所述相位校正器提供的校正值校正基本固定脉冲开关模式并提供校正后的开关模式。
2.权利要求1中记载的控制装置,其中,
所述相位校正器采样并保持由非对称磁化抑制控制器提供的校正值之一并以给定定时向模式发生器提供被采样并保持的校正值。
3.一种控制装置,用于控制采用固定脉冲开关模式并且其AC侧与变压器相连接的单相半导体功率变换器,所述控制装置包括:非对称磁化抑制控制器,被配置为根据磁通、激励电流或者从变压器检测到的代表它们中的任何一个的值,对要被施加到功率变换器的开关元件的每个基本固定脉冲开关模式产生校正值;相位校正器,被配置为在任一个开关元件不执行开关动作的定时逐一切换校正值;以及模式发生器,被配置为根据由相位校正器提供的校正值校正基本固定脉冲开关模式并提供校正后的开关模式。
4.权利要求3中记载的控制装置,其特征为:
所述相位校正器采样并保持由所述非对称磁化抑制控制器提供的校正值之一并以给定定时向所述模式发生器提供被采样并保持的校正值。
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