[发明专利]发光元件阵列和成像装置

权利要求书

1.一种发光元件阵列，包括：

衬底；

提供在衬底上的多个发光元件，相邻发光元件之间的空间中的至少一个空间电分离；

提供在衬底与多个发光元件之间、为多个发光元件共用的金属反射层；以及

提供在多个发光元件与金属反射层之间的电阻层，用于发光元件之间的空间的电分离。

2.根据权利要求1的发光元件阵列，其中形成包括发光元件的多个分块，以及

其中发光元件之间的空间的电分离是分别包括在不同分块中的相邻发光元件之间的空间的电分离。

3.根据权利要求1的发光元件阵列，还包括提供在彼此电分离的相邻发光元件之间的空间中的分离凹槽，

其中分离凹槽至少到达电阻层。

4.根据权利要求1的发光元件阵列，其中电阻层具有如下设置的电阻值：使得彼此电分离的发光元件之间的空间的电阻值大于包括在发光元件中并与电阻层接触的区域的电阻值。

5.根据权利要求1的发光元件阵列，其中电阻层由半导体制成。

6.根据权利要求1的发光元件阵列，其中电阻层由AlGaAs制成。

7.根据权利要求5的发光元件阵列，其中电阻层是无掺杂层。

8.根据权利要求5的发光元件阵列，其中电阻层是p型并且具有1×10¹⁷cm^-3或更小的p型杂质的掺杂浓度。

9.根据权利要求5的发光元件阵列，其中电阻层是n型并且具有3×10¹⁶cm^-3或更小的n型杂质的掺杂浓度。

10.根据权利要求1的发光元件阵列，其中电阻层具有至少大于等于0.1μm且小于等于1μm的厚度。

11.根据权利要求1的发光元件阵列，其中电阻层由绝缘体制成。

12.根据权利要求1的发光元件阵列，其中电阻层由选自SiO₂，SiN，SiON，AlN和Al₂O₃的一种制成。

13.根据权利要求11的发光元件阵列，其中电阻层具有大于等于0.05μm且小于等于0.5μm的厚度。

14.根据权利要求1的发光元件阵列，其中发光元件利用时分驱动来操作。

15.根据权利要求1的发光元件阵列，其中发光元件具有40μm或更小间隔的发光区域。

16.一种成像装置，包括：

用于读取图像的图像读取单元；

根据权利要求1的发光元件阵列，用于基于由图像读取单元读取的图像而发光；以及

基于由发光元件阵列发射的光而形成图像的成像单元。

17.一种阵列光源，包括：

衬底；

金属反射层；

通过金属反射层提供在衬底上的多个发光元件；以及

提供在金属反射层与发光元件之间以电分离金属层和发光元件的电阻层。

18.一种阵列光源，包括：

衬底；

公共金属反射层；

第一发光元件组和第二发光元件组，每一个包括多个发光元件，第一和第二发光元件组通过公共金属反射层提供在衬底上；

提供在第一和第二发光元件组与金属反射层之间，用于金属层与第一和第二发光元件组之间的电分离的分离层；以及

提供在第一发光元件组与第二发光元件组之间，用于第一发光元件组与第二发光元件组之间的电分离的分离凹槽，

其中提供分离凹槽使得分离凹槽在从发光元件侧朝向衬底侧的方向上到达用于电分离的分离层。

19.根据权利要求18的阵列光源，其中衬底是硅衬底；并且阵列光源的发光元件的发光通过时分驱动来控制。

20.根据权利要求18的阵列光源，其中衬底还包括执行时分驱动的控制电路。