[发明专利]修复光掩模图案缺陷的方法

权利要求书

1.一种修复光掩模缺陷的方法，包括：

在透明衬底上形成第一图案；

通过检查所述第一图案来探测包括有缺陷的图案的有缺陷的管芯；

在透明衬底上形成选择性地暴露所述有缺陷的管芯的掩模图案；

使用所述掩模图案作为蚀刻掩模除去所述有缺陷的管芯的有缺陷的图案；

在所述透明衬底的有缺陷的管芯上形成用于形成第二图案的材料层；

除去所述掩模图案；以及

通过图案化所述材料层在所述有缺陷的管芯上形成所述第二图案。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第二图案的方法包括：

在没有所述掩模图案的所述透明衬底上形成抗蚀剂层；

曝光并显影所述抗蚀剂层，因此形成抗蚀剂层图案；以及

使用所述抗蚀剂层图案作为蚀刻掩模来图案化所述材料层。

3.如权利要求2所述的方法，其中图案化所述材料层的步骤包括使用形于所述透明衬底上的对准标记。

4.如权利要求3所述的方法，进一步包括：

在形成所述抗蚀剂层的步骤之前在所述对准标记的周围形成阻挡条。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一图案和所述第二图案包括光阻挡层图案。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述第一图案和第二图案进一步包括相移层图案。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述光阻挡层图案包括铬(Cr)层图案。

8.如权利要求6所述的方法，其中相移层图案包括氮化钼硅(MoSiON)层图案。

9.如权利要求1所述的方法，其中形成所述材料层的步骤包括使用溅射方法。

10.一种修复光掩模缺陷的方法，包括：

在透明衬底上图案化目标层，因此形成第一图案；

通过检查所述第一图案来探测包括有缺陷的图案的有缺陷的区域；

使用选择性地暴露所述有缺陷的区域的掩模图案在所述有缺陷的区域中选择性地蚀刻所述目标层；

在所述有缺陷的区域上沉积第二目标层；和

图案化所述第二目标层，因此在所述有缺陷的区域上形成第二图案。

11.如权利要求10的方法，其中图案化所述第二目标层的步骤包括：

在包括所述沉积的第二目标层的所述透明衬底上形成抗蚀剂层；

曝光并显影所述抗蚀剂层，因此形成抗蚀剂层图案；以及

使用所述抗蚀剂层图案作为蚀刻掩模图案化所述第二目标层，因此形成所述第二图案。