[发明专利]浅沟槽隔离结构的保护方法及应用于其的保护层

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的保护方法，适用于半导体元件工艺中，该半导体元件工艺包括第一工艺与第二工艺，在该第一工艺中在该浅沟槽隔离结构表面形成凹陷，该方法包括在该第二工艺中沿着该凹陷轮廓在该凹陷表面形成氮化硅层。

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的保护方法，其中该氮化硅层的蚀刻率低于该浅沟槽隔离结构的蚀刻率。

3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的保护方法，其中该浅沟槽隔离结构的材料包括氧化硅。

4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的保护方法，其中该第一工艺包括蚀刻工艺或清洗工艺。

5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的保护方法，其中该第二工艺包括形成金属硅化物阻挡层，且该氮化硅层与该金属硅化物阻挡层是由同一材料层所形成。

6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的保护方法，其中该第二工艺包括形成间隙壁，且该氮化硅层与该间隙壁是由同一材料层所形成。

7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的保护方法，其中该第二工艺包括形成间隙壁的步骤以及形成金属硅化物阻挡层的步骤，且该氮化硅层是由形成该间隙壁的第一氮化硅层与形成该金属硅化物阻挡层的第二氮化硅层所形成的。

8.一种浅沟槽隔离结构的保护方法，适用于半导体元件工艺，该半导体元件工艺包括依序形成金属硅化物阻挡层及金属硅化物，该方法包括：

在该浅沟槽隔离结构形成之后且在该金属硅化物阻挡层形成之前，在该基底上额外形成保护层，且该保护层覆盖该浅沟槽隔离结构；以及

移除位于该浅沟槽隔离结构上方以外的该保护层。

9.如权利要求8所述的浅沟槽隔离结构的保护方法，其中该保护层的蚀刻率低于该浅沟槽隔离结构的蚀刻率。

10.如权利要求8所述的浅沟槽隔离结构的保护方法，其中该保护层的材料包括氮化硅、富硅氧化硅或氮氧化硅。

11.一种浅沟槽隔离结构的保护层，该浅沟槽隔离结构配置在基底中，且该浅沟槽隔离结构的表面具有凹陷，而该保护层覆盖该凹陷表面。

12.如权利要求11所述的浅沟槽隔离结构的保护层，其中该保护层的蚀刻率低于该浅沟槽隔离结构的蚀刻率。

13.如权利要求11所述的浅沟槽隔离结构的保护层，其中该浅沟槽隔离结构的材料包括氧化硅。

14.如权利要求11所述的浅沟槽隔离结构的保护层，其中该保护层的材料包括氮化硅、富硅氧化硅或氮氧化硅。

15.如权利要求11所述的浅沟槽隔离结构的保护层，其中该保护层是与半导体元件工艺中所形成的金属硅化物阻挡层同时形成。

16.如权利要求11所述的浅沟槽隔离结构的保护层，其中该保护层是与半导体元件工艺中所形成的间隙壁同时形成。

17.如权利要求11所述的浅沟槽隔离结构的保护层，其中该保护层是由半导体元件工艺中用以形成间隙壁的第一材料层与用以形成金属硅化物阻挡层的第二材料层所形成的。

18.如权利要求11所述的浅沟槽隔离结构的保护层，其中该凹陷的表面低于该基底表面，使得至少一部分该保护层位于该浅沟槽隔离结构所配置的沟槽中。