[发明专利]半导体电路以及使用该半导体电路的半导体器件有效
| 申请号： | 200710141098.2 | 申请日： | 2007-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101127352A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 高取宪一 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 电路 以及 使用 半导体器件 | ||
1.一种半导体电路，包括：
电源电压生成电路；
具有晶体管的第一电路，其中该晶体管与该电源电压生成电路相连，并且通过利用电子自旋的自由度来改变漏极电流值，从而改变源极和漏极的自旋状态；以及
主要功能电路，其与所述第一电路相连并且具有主要功能；其中
该半导体电路根据所述漏极电流值来改变所述主要功能电路的工作速度。
2.根据权利要求1的半导体电路，其中所述主要功能电路的功耗根据所述漏极电流值发生变化。
3.根据权利要求1的半导体电路，其中
所述晶体管的所述源极和漏极由铁磁性金属或半金属性铁磁体构成；以及
该沟道区域由铁磁性半导体构成。
4.根据权利要求2的半导体电路，其中
所述晶体管的所述源极和漏极由铁磁性金属或半金属性铁磁体构成；以及
该沟道区域由铁磁性半导体构成。
5.一种半导体电路，包括：
电源电压生成电路；
具有晶体管的第二电路，其中该晶体管与该电源电压生成电路相连，并且能够利用电子自旋的自由度将阈值提供给漏-源电压，在所述阈值处漏极电流流动，用以改变源极和漏极的自旋状态；以及
主要功能电路，其与所述第二电路相连并且具有主要功能；其中
当所述漏-源电压等于或者小于阈值，并且该栅极电压等于或小于该阈值时，所述主要功能电路不工作。
6.一种半导体电路，包括：
电源电压线；
具有晶体管的第二电路，其中该晶体管与该电源电压线相连，并且能够利用电子自旋的自由度将阈值提供给漏-源电压，在所述阈值处漏极电流流动，从而改变源极和漏极的自旋状态；以及
主要功能电路，其与所述第二电路相连并且具有主要功能；其中
该半导体电路根据所述晶体管的所述自旋状态来改变施加到所述主要功能电路上的电压。
7.根据权利要求5的半导体电路，其中
所述晶体管的所述源极和漏极由铁磁性金属或半金属性铁磁体构成；以及
该沟道区域由半导体构成。
8.根据权利要求6的半导体电路，其中
所述晶体管的所述源极和漏极由铁磁性金属或半金属性铁磁体构成；以及
该沟道区域由半导体构成。
9.根据权利要求1的半导体电路，其中动态地调整所述晶体管的源极和漏极的所述自旋状态。
10.根据权利要求5的半导体电路，其中动态地调整所述晶体管的源极和漏极的所述自旋状态。
11.根据权利要求6的半导体电路，其中动态地调整所述晶体管的源极和漏极的所述自旋状态。
12.一种使用根据权利要求1的半导体电路的半导体器件。
13.一种使用根据权利要求5的半导体电路的半导体器件。
14.一种使用根据权利要求6的半导体电路的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
