[发明专利]等离子腐蚀反应器无效
| 申请号： | 200710141164.6 | 申请日： | 1997-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101106074A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·P·德奥尼拉斯;艾尔弗德·科弗;罗伯特·C·韦尔 | 申请（专利权）人： | 泰格尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/311;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 周少杰;黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子 腐蚀 反应器 | ||
1.一种增强的等离子体腐蚀反应器，包括：
反应室；
上电极；
下电极；
与所述下电极相连的第一AC电源，其产生第一频率的功率；
与所述下电极相连的第二AC电源，其产生第二频率的功率；
第三DC电源，与所述下电极相连；
侧壁外围电极；及
至少一气体物质的固态源，关联于所述侧壁外围电极。
2.如权利要求1所述的等离子体腐蚀反应器，其中：
所述第二电源产生1MHz或以下的功率；及
所述第一电源产生2MHz或以上的功率。
3.如权利要求1所述的等离子体腐蚀反应器，其中：
所述第一电源产生13.56MHz的功率；及
所述第二电源产生450KHz的功率。
4.如权利要求1所述的等离子体腐蚀反应器，包括：
与所述反应室关联的磁限制。
5.如权利要求1所述的等离子体腐蚀反应器，包括：
至少一气体物质的固态源。
6.一种增强的等离子体腐蚀反应器，包括：
反应室；
上电极；
与所述上电极隔开的下电极；
与所述下电极相连的第一电源，其产生第一频率的功率；
与所述下电极相连的第二电源，其产生第二频率的功率；
所述下电极关联于适于固定要处理的晶片的夹盘；
侧壁外围电极；及
至少一气体物质的固态源，关联于所述侧壁外围电极。
7.如权利要求6所述的等离子体腐蚀反应器，包括：
磁限制装置，适于在所述反应器中包含等离子体。
8.如权利要求6所述的等离子体腐蚀反应器，其中固态源覆盖所述侧壁外围电极。
9.如权利要求8所述的等离子体腐蚀反应器，包括：
磁限制装置，适于在所述反应器中包含等离子体。
10.如权利要求8所述的等离子体腐蚀反应器，包括：
与所述侧壁外围电极相连的第三电源。
11.如权利要求7所述的等离子体腐蚀反应器，包括：
与所述侧壁外围电极相连的第三电源。
12.如权利要求11所述的等离子体腐蚀反应器，其中：
所述第一、第二和第三电源是AC电源；及DC电源与所述下电极相连。
13.如权利要求7所述的等离子体腐蚀反应器，其中固态源覆盖所述侧壁外围电极。
14.如权利要求13所述的等离子体腐蚀反应器，包括：
与所述侧壁外围电极相连的第三电源。
15.如权利要求14所述的等离子体腐蚀反应器，其中：
所述第一、第二和第三电源是AC电源；及DC电源与所述下电极相连。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
