[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710141193.2 申请日: 2004-11-29
公开(公告)号: CN101118359A 公开(公告)日: 2008-02-06
发明(设计)人: 川崎清弘 申请(专利权)人: 广辉电子股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/133;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;H01L21/027;G03F7/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 韩宏
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 液晶 显示装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种液晶显示装置,是将液晶充填于在一个主表面上至少具有绝缘栅极型晶体管,兼作上述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线,和也兼作源极布线的信号线,和被连接到漏极布线上的像素电极的单位像素被配列成二维的矩阵的第一透明性绝缘基板,和与上述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘性基板或者彩色滤光板之间而所构成的液晶显示装置,其特征为:

至少在第一透明性绝缘基板的一个主表面上形成有由一层以上的第一金属层所构成,其侧面上具有绝缘层的扫描线和相对电极,

在上述相对电极上形成有绝缘层,

在栅极电极上,扫描线和信号线的交叉点附近上,相对电极和信号线的交叉点附近上,和相对电极和像素电极的交叉点附近上形成有栅极绝缘层和不含有杂质的第一半导体层,

在栅极电极上的第一半导体层上形成有将成为绝缘栅极型晶体管的源极、漏极的一对含有杂质的第二半导体层,

在扫描线和信号线的交叉点上,相对电极和信号线的交叉点上,和相对电极和像素电极的交叉点上的第一半导体层上,形成有含有杂质的第二半导体层,

在将成为源极、漏极的一对第二半导体层和第一透明性绝缘基板上形成有由包含有耐热金属层的一层以上的可阳极氧化的第二金属层所构成的作为信号线的源极布线、作为像素电极的漏极布线;在图像显示部分外的区域中,由信号线的一部分所构成的信号线的电极端子;和包含扫描线的一部分的扫描线的电极端子,

除上述电极端子上之外,在源极、漏极布线的表面上形成有阳极氧化层,

在上述源极、漏极布线间,和除扫描线和信号线的交叉点外的扫描线和信号线的交叉点附近上,除相对电极和信号线的交叉点外的相对电极和信号线的交叉点附近上,和除相对电极和像素电极的交叉点外的相对电极和像素电极的交叉点附近上的第一半导体层上,形成有氧化硅层。

2、如权利要求1所述的液晶显示装置,其中,形成在扫描线的侧面的绝缘层为有机绝缘层。

3、如权利要求1所述的液晶显示装置,其中,第一金属层是由可阳极氧化的金属层所构成,形成在扫描线的侧面的绝缘层为阳极氧化层。

4、一种液晶显示装置的制造方法,是将液晶充填于在一个主表面上至少具有绝缘栅极型晶体管,兼作上述绝缘栅极型晶体管的栅极电极的扫描线,和也兼作源极布线的信号线,和被连接到漏极布线上的像素电极的单位像素被配列成二维矩阵的第一透明性绝缘基板,和与上述第一透明性绝缘基板相对的第二透明性绝缘性基板或者彩色滤光板之间而所构成的液晶显示装置,其特征为:具有

至少在第一透明性绝缘基板的一个主表面上,依次覆盖一层以上的第一金属层,一层以上的栅极绝缘层,不含杂质的第一非晶硅层和含有杂质的第二非晶硅层的工序;

形成对应于扫描线且栅极电极上的膜厚比其他区域的膜厚还厚的感光性树脂图案的工序;

将上述感光性树脂图案当作掩膜,而依序蚀刻第二非晶硅层和第一非晶硅层和栅极绝缘层和第一金属层的工序;

减少上述感光性树脂图案的膜厚而露出扫描线上的第二非晶硅层的工序;

在栅极电极上选择性残留第二非晶硅层和第一非晶硅层而露出扫描线上的栅极绝缘层的工序;

除去上述被减少膜厚的感光性树脂图案后,在扫描线的侧面上形成绝缘层的工序;

在图像显示部分外的区域中,在扫描线的电极端子形成区域上的栅极绝缘层上形成开口部分而露出扫描线的一部分的工序;

覆盖一层以上的第二金属层后,使可成为与栅极电极一部分重叠地选择性形成源极、漏极布线,和在图像显示部分外的区域中由信号线的一部分所构成的信号线的电极端子,和包含上述开口部分的扫描线的电极端子的工序;

在第一透明性绝缘基板上和上述漏极布线的一部分上形成透明导电性的像素电极,和在上述扫描线和信号线的电极端子上形成透明导电性的电极端子的工序;和

将上述透明导电性的像素电极和透明导电性的电极端子的选择性图案形成所使用的感光性树脂图案当作掩膜,一面保护像素电极和电极端子,一面阳极氧化源极、漏极布线和源极、漏极布线间的非晶硅层的工序。

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