[发明专利]用于发光二极管的扩散阻挡层

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

相应的p型和n型半导体外延层，用于在施加的电流的作用下，产生复合和光子；

反射金属层，邻近所述外延层中的至少一个，用于增强所期望的方向上的光输出；

所述反射金属层上的第一钛钨层；

所述第一钛钨层上的氮化钛钨层；以及

所述氮化钛钨层上与所述第一钛钨层相对的第二钛钨层。

2.根据权利要求1的发光二极管结构，其中所述反射金属层选自金、银、铝及其组合。

3.根据权利要求1的发光二极管结构，其中所述包含钛的层的总厚度足以防止所述反射金属向所述二极管的其它区域的迁移或扩散，但是小于所产生的应力将促进所述包含钛的层中的分层和相关结构问题的厚度。

4.根据权利要求1的发光二极管，其中所述第一和第二钛钨层约为1000埃厚，且所述氮化钛钨层约为2000埃厚。

5.根据权利要求1的发光二极管结构，其中所述半导体外延层包括III族氮化物。

6.根据权利要求1的发光二极管结构，进一步包括在所述外延层上并与所述反射金属层相对的半导体衬底，使得所述反射金属层增加了朝向所述衬底的光输出。

7.根据权利要求6的发光二极管结构，其中所述衬底包括碳化硅。

8.一种防止发光二极管结构中的反射镜金属迁移的方法，该方法包括：

以低于将干扰包括半导体外延层的发光有源结构的结构或功能的温度的淀积温度，在作为该发光有源结构的一部分的一层反射镜金属上淀积第一钛钨层；

以低于将干扰该发光有源结构的结构或功能的温度的温度，在所述第一钛钨层上淀积氮化钛钨层；以及

以低于将干扰该发光有源结构的结构或功能的温度的温度，在所述氮化钛钨层上淀积第二钛钨层。

9.根据权利要求8的方法，其中，所述各淀积步骤中的每一个都在低于形成所述外延层的半导体的离解温度的温度下实施。

10.根据权利要求8的方法，包括：

在作为包括III族氮化物外延层的发光有源结构的一部分的反射镜金属上淀积所述各层；以及

在低于所述外延层中的III族氮化物的离解温度的温度下实施所述各淀积步骤。

11.根据权利要求8的方法，包括以避免外延层中的掺杂剂迁移或元素、状态或缺陷的不希望的激活的温度实施所述各淀积步骤。

12.根据权利要求8的方法，包括以低于500℃的温度实施所述各淀积步骤。

13.根据权利要求8的方法，包括通过脉冲DC溅射淀积来淀积第一和第二钛钨层。

14.根据权利要求8的方法，包括通过反应脉冲DC溅射来淀积氮化钛钨层。

15.一种发光二极管，包括：

引线框；

与所述引线框电接触的有源结构；

反射金属层，位于所述引线框和所述有源结构之间，用于引导所发射的光离开所述引线框；

阻挡结构，用于防止所述反射层中的金属在所述发光二极管中迁移，所述阻挡结构包括覆盖所述反射金属层的第一钛钨层、覆盖所述第一钛钨层的氮化钛钨层、以及覆盖所述氮化钛钨层的第二钛钨层；以及

欧姆接触，与所述有源结构电连通，并与所述引线框相对。

16.根据权利要求15的发光二极管，包括III族氮化物有源结构。

17.根据权利要求15的发光二极管，进一步包括所述有源层结构和所述欧姆接触之间的透明衬底(倒装芯片取向)。

18.根据权利要求15的发光二极管，进一步包括所述引线框上的第二欧姆接触。

19.根据权利要求15的发光二极管，其中所述反射金属层选自金、银、铝及它们的组合。

20.根据权利要求15的发光二极管，包括直接位于所述反射金属层和所述有源结构之间的电接触层，用于提高流经所述二极管的电流的流量。

21.根据权利要求15的发光二极管，其中所述电接触层包括铂，且所述反射金属层包括银。