[发明专利]实现两种操作状态的电路和方法无效
申请号: | 200710141686.6 | 申请日: | 2007-08-17 |
公开(公告)号: | CN101369772A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 罗志刚;杜超洪 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H05B41/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 卢江;魏军 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 实现 操作 状态 电路 方法 | ||
1.一种用于实现两种操作状态的电路,该电路具有一个单个频率 发生器电路和小信号控制电路,其特征在于,该频率发生器电路与该 小信号控制电路集成在一起,以便在频率发生器电路正常工作时得到 第一操作频率,而在关断电源后并又在设定的数秒内再次接通电源时, 由小信号控制电路使得频率发生器电路以第二操作频率重新运行,
其中,频率发生器电路是通用半桥振荡电路,而小信号控制电路 包括RC控制电路、触发开关电路和频率控制电路;当接通电源后,半 桥振荡电路以第一操作频率运行,当关断电源之后并在设定的数秒内 重新接通电源,RC控制电路首先为触发开关电路提供触发电压,以得 到控制电压来改变频率控制电路的状态,从而使得通用半桥振荡电路 以不同的第二操作频率重新运行。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,通用半桥振荡电路 具有两个开关元件Q1、Q2和两个LC振荡网络,通用半桥振荡电路还具 有由电阻器R1、电容器C1、二极管D1、双向触发二极管DB3构成的起动 网络。
3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,RC控制电路包括电 阻器R3、R6、R7、R8、电解电容器C4、开关元件Q3以及Q4,其中,电 解电容器C4的负极连接到参考电势,开关元件Q4的集电极连接到通用 半桥振荡电路中的二极管D1的阳极,开关元件Q4的发射极通过电阻器 R8连接到参考电势,开关元件Q3的集电极连接到电阻器R3和电解电容 器C4的连接点并且其发射极连接到参考电势。
4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,触发开关电路包括 电阻器R4、R9、R10、电容器C7、二极管D4、齐纳二极管D2以及可控硅 整流器SCR1,其中,可控硅整流器SCR1的阳极通过电阻器R4连接到电 源电压(VDC),而可控硅整流器SCR1的阴极通过电阻器R9和R10的串 联电路连接到参考电势,齐纳二极管D2的阴极连接到开关元件Q4的发 射极,而其阳极连接到二极管D4的阳极,二极管D4的阴极与可控硅整 流器SCR1的栅极相连,在SCR1的栅极与参考电势之间连接有电容器C7, 开关元件Q3的基极连接到电阻器R9和电阻器R10的连接点。
5.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,可控硅整流器SCR1 可利用三端双向可控硅开关元件来代替。
6.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,增加齐纳二极管D3 和电解电容器C6,其中,电阻器R8和R10串联连接在开关元件Q4的发射 极与参考电势之间,开关元件Q3的基极通过齐纳二极管D3连接到电阻 器R8和R10的连接点,齐纳二极管D3的阳极连接到开关元件Q3的基极, 而可控硅整流器SCR1的阴极通过电阻器R9连接到参考电势,电解电容 器C6的正极连接到开关元件Q3的基极,而电解电容器C6的负极连接到 开关元件Q3的发射极。
7.根据权利要求6所述的电路,其特征在于,利用金属氧化物半 导体场效应晶体管Q6来代替齐纳二极管D2。
8.根据权利要求3-7之一所述的电路,其特征在于,开关元件Q3 是晶体管或者可控硅整流器,开关元件Q1、Q2、Q4是晶体管。
9.根据权利要求3-7之一所述的电路,其特征在于,频率控制电 路包括电阻器R11、电阻器R12、电阻器R13、电容器C5以及开关元件Q5, 其中,开关元件Q5的基极通过电阻器R11连接到可控硅整流器SCR1的阴 极,开关元件Q5的发射极连接到参考电势,而开关元件Q5的集电极连 接到通用半桥振荡电路中的开关元件Q2的基极,电阻器R13和电容器C5 并联在开关元件Q5的基极与发射极之间,而电阻器R12连接在电阻器 R13和开关元件Q5的基极的连接点与振荡电路中的电感器L1-a和电阻 器R5的连接点之间。
10.根据权利要求9所述的电路,其特征在于,开关元件Q5是晶体 管。
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