[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200710141759.1 | 申请日: | 2007-08-21 |
公开(公告)号: | CN101132015A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 韩昌勋 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/822 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器,该图像传感器包括:
多个像素,设置在衬底的有源区中;
虚设像素,设置在该衬底的外围区中;
层间介电层,设置在该有源区和该外围区上,并在该有源区中具有第一厚度和在该外围区中具有第二厚度,其中该第一厚度大于该第二厚度;
多个滤色镜,设置在该有源区上;
光阻挡部,设置在该外围区的层间介电层上,其中在该光阻挡部的上表面与邻近于该光阻挡部的滤色镜的上表面之间基本上不存在高度差,以及
平坦化层,设置在所述多个滤色镜和该光阻挡部上。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中该光阻挡部包括位于该外围区的层间介电层上的第一光阻挡部和位于该第一光阻挡部上的第二光阻挡部。
3.如权利要求2所述的图像传感器,其中所述多个滤色镜包括第一滤色镜、第二滤色镜和第三滤色镜;以及
其中该第三滤色镜邻近于该第二光阻挡部。
4.如权利要求3所述的图像传感器,其中该第一光阻挡部基本上与该第一滤色镜相似,以及该第二光阻挡部基本上与该第二滤色镜相似。
5.如权利要求3所述的图像传感器,其中该第一光阻挡部基本上与该第一滤色镜相似,以及该第二光阻挡部基本上与该第三滤色镜相似。
6.如权利要求1所述的图像传感器,还包括位于该有源区的平坦化层上的多个微透镜。
7.如权利要求6所述的图像传感器,还包括位于该外围区的平坦化层上的虚设微透镜。
8.一种图像传感器的制造方法,包含下列步骤:
在半导体衬底的有源区中形成多个像素;
在该半导体衬底的外围区中形成虚设像素;
在所述多个像素和该虚设像素上形成具有第一厚度的层间介电层;
对相应于该外围区的层间介电层的部分进行图案化,以使该外围区中的层间介电层的部分变为第二厚度,其中该第二厚度小于该第一厚度;
在该外围区中形成第一光阻挡部;
在该有源区中形成第一滤色镜;
在该第一光阻挡部上形成第二光阻挡部;
在该有源区上形成第二滤色镜;
在该有源区上形成第三滤色镜;以及
在该第二光阻挡部、该第一滤色镜、该第二滤色镜以及该第三滤色镜上形成平坦化层,
其中在该第二光阻挡部的上表面与邻近于该第二光阻挡部的滤色镜的上表面之间基本上不存在高度差。
9.如权利要求8所述的方法,其中该第一厚度与该第二厚度之间的厚度差等于该第一光阻挡部的厚度。
10.如权利要求8所述的方法,还包括在该有源区的平坦化层上形成多个微透镜的步骤。
11.如权利要求8所述的方法,还包括在该外围区的平坦化层上形成虚设微透镜的步骤。
12.如权利要求11所述的方法,其中所述多个微透镜与该虚设微透镜同时形成。
13.如权利要求8所述的方法,其中该第一光阻挡部与该第一滤色镜同时形成。
14.如权利要求13所述的方法,其中该第二光阻挡部与该第二滤色镜同时形成。
15.如权利要求14所述的方法,其中该第二滤色镜邻近于该第二光阻挡部。
16.如权利要求14所述的方法,其中该第三滤色镜邻近于该第二光阻挡部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的