[发明专利]用于电化学加工的电极

权利要求书

1.一种电极，它包括形成电极表面的介电层、以及包括嵌埋在所述电极表面下的金属的有源区，

其中，所述介电层包括凹槽图案，所述凹槽图案包含从电极表面延伸到有源区上表面的凹槽，其中凹槽图案所包含的凹槽的特征宽度等于或小于25微米，

且其中，所述凹槽具有V形结构，该V形结构在介电层中的有源区处具有宽的开口，在电极表面具有窄的开口。

2.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述介电层包含SiNx、SiO2或苯并环丁烯。

3.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述凹槽图案包括特征宽度等于或小于12微米的凹槽。

4.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述介电层的厚度范围为1-5微米。

5.一种制造电极的方法，该方法包括：

在金属表面上沉积介电层；

在介电层上沉积光刻胶层；

在光刻胶层上印刷凹槽图案；

通过蚀刻或物理化学法除去介电的光刻胶层的一些部分，在介电层中形成凹槽图案，其中所述凹槽图案包含特征宽度等于或小于25微米的凹槽，所述凹槽具有V形结构，该V形结构在介电层表面处具有窄的开口；

除去光刻胶层；以及

将金属沉积在介电层表面以下的凹槽中，以制造电极。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属是Cu。

7.一种施加电极的方法，所述方法包括：

使电极与工件接触，从而在工件中形成凹槽图案，其中所述电极和工件之间的间隙等于或小于5微米，

其中，所述电极包含凹槽图案，所述凹槽图案包含特征宽度等于或小于25微米的凹槽，电极中的所述凹槽具有V形结构，该V形结构在邻近工件的电极的表面处具有窄的开口，在远离工件处具有宽的开口，其中电极中的凹槽在宽的开口处包含金属，

且其中金属位于电极表面之下。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在工件中形成凹槽图案时不发生电弧放电。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述间隙基本为零。

10.如权利要求9所述的方法，还包括将能量从电极会聚到工件，以防止工件中凹槽图案的过烧。