[发明专利]半导体激光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光装置，该半导体激光装置包括对衬底以及在该衬底之上形成的半导体层层叠体进行切割而形成的芯片，该半导体层层叠体是由包含条状的导波部、且利用具有六方晶体结构的半导体材料构成的半导体层层叠而成的，其特征在于：

上述芯片具有与上述导波部交叉的方向上的两个芯片端面、和与上述导波部平行的方向上的两个芯片侧面，

上述各个芯片端面中的包含上述导波部的区域是上述半导体层层叠体被解理的解理面，

至少一个上述芯片端面中的上述导波部的两侧区域分别具有由于上述芯片的一部分被切掉而形成的缺口部，上述缺口部露出与上述芯片端面相接触的第一壁面以及与上述芯片侧面相接触的第二壁面，

两个上述缺口部中的至少一个缺口部的上述第一壁面延伸的方向、与上述解理面延伸的方向之间所成的角度在10度以上且在40度以下。

2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

在上述芯片中的上述导波部和上述缺口部之间的部分形成了与上述导波部及上述缺口部之间具有间隔并与上述导波部平行延伸的阶梯部。

3.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

从上述各个缺口部的上述第二壁面到将上述解理面进行延长后的位置为止的距离在5μm以上且在25μm以下。

4.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述各个缺口部具有设置在上述导波部侧的第一部分、和设置在上述芯片侧面侧的第二部分，

在上述第一部分中，上述第一壁面、和与该第一壁面相接触并且与上述第二壁面平行的第三壁面露出，

在上述第二部分中，上述第二壁面、和与该第二壁面及上述第三壁面相接触的第四壁面露出，

从上述第三壁面到将上述解理面进行延长后的位置为止的距离在1μm以上且在5μm以下，

从上述第二壁面到将上述解理面进行延长后的位置为止的距离在10μm以上且在25μm以下，

上述第四壁面延伸的方向、与上述解理面延伸的方向之间所成的角度在10度以上且在40度以下。

5.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述各个缺口部的深度在1μm以上且在10μm以下。

6.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述各个缺口部在上述导波部侧的端部处的深度比其他部分的深度深。

7.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述各个缺口部中的上述导波部侧的部分是通过蚀刻形成的浅缺口部，上述缺口部的其他部分是通过划线形成的深缺口部，上述浅缺口部的深度在2μm以下。

8.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

形成在上述解理面的两侧的两个缺口部之间的间隔在30μm以上且在100μm以下。

9.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述各个缺口部是从上述芯片的上述半导体层层叠体侧开始形成的。

10.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

上述各个缺口部是从上述芯片的上述衬底侧开始形成的。

11.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

两个上述缺口部中的一个缺口部的上述第一壁面延伸的方向、与上述解理面延伸的方向之间所成的角度在10度以上且在40度以下，

两个上述缺口部中的另一个缺口部的上述第一壁面延伸的方向、与上述解理面延伸的方向之间所成的角度是90度。