[发明专利]写入和读取信息的装置和方法无效
申请号: | 200710141961.4 | 申请日: | 2007-08-10 |
公开(公告)号: | CN101140776A | 公开(公告)日: | 2008-03-12 |
发明(设计)人: | 卜路嘉;E·C·格里;C·R·斯兹曼达 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯公司 |
主分类号: | G11B9/12 | 分类号: | G11B9/12;G11B9/14;G11C17/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 沙永生 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 写入 读取 信息 装置 方法 | ||
1.一种在电场可编程膜中存储信息的方法,该方法包括:
提供具有顶面和底面的电场可编程膜;
通过使用至少一个触针,从所述电场可编程膜的顶面到底面施加贯穿该电场可编程膜的写入电压,从而将信息写入至所述电场可编程膜;
所述写入电压在所述电场可编程膜内感生持久的极化域;
所述电场可编程膜包括至少两种可用的信息态,每种可用的信息态对应于不同的极化。
2.一种用来在电场可编程膜装置中存储信息的方法,该方法包括:
提供基板;
提供具有顶面和底面的电场可编程膜,所述底面与所述基板电耦联,所述电场可编程膜包括一个或多个部分,每个部分对应于一个存储单元,各存储单元包括至少两种可用的信息态,每种可用的信息态对应于所述电场可编程膜的不同的极化;
提供至少一个触针;
通过在所述触针和基板之间、在至少一个存储单元上施加写入电压,向所述至少一个存储单元写入信息,所述写入电压在所述电场可编程膜内感生持久的极化域。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述至少一个触针是触针的阵列。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,该方法还包括对写入所述电场可编程膜的信息进行读取,读取信息包括测定触针上的作用力。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,每个存储单元具有至少三种可用的信息态,信息作为多比特信息写入至少一个存储单元中。
6.一种存储装置,其包括:
电场可编程膜,所述电场可编程膜包括多个独立映射的部分,它们对应于多个独立的存储单元;所述存储装置包含作为多比特信息存储的信息。
7.如权利要求6所述的存储装置,其特征在于,所述存储装置还包括至少一个触针。
8.如权利要求7所述的存储装置,其特征在于,所述至少一个触针和电场可编程膜可相对彼此重新定位,以便于以下操作中的至少一种:对多个独立存储单元进行读取和写入。
9.如权利要求6所述的存储装置,其特征在于,该存储装置还包括至少一个触针阵列,所述触针阵列以可操作的方式与电场可编程膜相联,从而可以使用所述触针阵列进行以下操作中的至少一种:将信息编程到所述存储单元,以及从所述存储单元读取信息。
10.一种读取电场可编程膜中存储的信息的方法,该方法包括:
提供电场可编程膜,该电场可编程膜包含存储在至少一个存储单元中的信息,所述电场可编程膜包括至少两种可用的信息态,各可用的信息态对应于不同的极化;
提供至少一个触针;
通过测量所述触针和对应于所述至少一个存储单元的电场可编程膜之间的作用力,确定所述至少一个存储单元的信息态。
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