[发明专利]用于形成接触孔的掩模

权利要求书

1.一种掩模，包括：

掩模图案，其被配置为用于形成接触孔，其中在形成所述接触孔的光刻处理中，该掩模图案被设计为其水平轴长度大于垂直轴长度，或者其垂直轴长度大于水平轴长度。

2.根据权利要求1所述的掩模，其中所述掩模图案包括矩形形状。

3.根据权利要求2所述的掩模，其中当各个接触孔之间的距离小于所述接触孔的尺寸的两倍时，所述掩模图案包括矩形形状。

4.根据权利要求1所述的掩模，其中所述掩模图案的水平轴的长度在160nm至170nm范围内，垂直轴的长度在290nm至310nm、320nm至340nm的范围内。

5.一种用于制造掩模的方法，所述掩模具有形成多个接触孔的多个图案，该方法包括如下步骤：

确定待形成的多个接触孔之间的距离；以及

根据待形成的多个接触孔之间的距离选择设计图案。

6.根据权利要求5所述的方法，其中当所述多个接触孔在预定方向上相邻形成时，所述掩模图案被设计为具有矩形形状，且所述矩形的短边在所述多个接触孔的排列方向上。

7.根据权利要求5所述的方法，其中当所述多个接触孔之间的距离小于所述接触孔的尺寸的两倍时，所述掩模图案被设计为具有矩形形状。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述掩模图案的水平轴的长度在160nm至170nm范围，垂直轴的长度在290nm至310nm、320nm至340nm的范围内。

9.根据权利要求5所述的方法，包括如下步骤：

在相干因子σ为0.5、以及剂量范围为31mJ/cm²至33mJ/cm²的条件下执行光刻处理。

10.根据权利要求5所述的方法，还包括如下步骤：

确定所述多个接触孔的排列；以及

当所述多个接触孔以预定距离或更小距离相邻排列时，使用矩形掩模执行光刻处理以形成所述多个接触孔。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括如下步骤：

使用所述多个接触孔形成闪存器件。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述掩模图案被形成为其水平轴的长度在160nm至170nm范围内，以及所述掩模图案被形成为其垂直轴的长度位于290nm至310nm、320nm至340nm的范围内。

13.根据权利要求10所述的方法，其中在相干因子σ为0.5、以及剂量范围为31mJ/cm²至33mJ/cm²的条件下执行所述光刻处理。

14.一种闪存器件，包括：

使用光刻处理形成的多个接触孔，

其中，在所述的光刻处理中，如果所述多个接触孔以预定距离或更小距离相邻排列，则使用矩形掩模。

15.根据权利要求14所述的器件，其中所述预定距离为所述接触孔的尺寸的两倍。

16.根据权利要求14所述的器件，其中所述掩模图案被形成为其水平轴的长度位于160nm至170nm范围内，其垂直轴的长度位于290nm至310nm、320nm至340nm的范围内。

17.根据权利要求14所述的器件，其中在相干因子σ为0.5、以及剂量范围为31mJ/cm²至33mJ/cm²的条件下执行所述光刻处理。