[发明专利]半导体存储装置的测试方法及其半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多条字线、多个位线对、多个位于所述字线和所述位线的交叉位置处的存储单元、以及多个连接到所述位线对的用于放大位线对的电位差的读出放大器；

位线传输控制电路，用于控制将所述位线对连接到相应的读出放大器的位线传输门；以及

字线选择电路，用于选择字线，

其中，在测试模式中，所述字线选择电路选择与被连接到测试目标读出放大器的第一位线的第一存储单元相对应的第一字线，所述读出放大器被激活，并且所述第一位线被放大至第一或第二电位，

然后在所述位线传输控制电路将所述第一位线从所述读出放大器断开的状态下，所述字线选择电路多次选择在所述第一位线上并且与所述第一存储单元相反的数据被存储在其中的第二存储单元的第二字线，以将所述第一位线的电位设置为中间电位，并且将所述第一字线返回至非选择状态，以将所述中间电位写入所述第一存储单元，

然后在执行预充电之后，所述第一存储单元中的数据被读取。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，特定数据样式被写入第二存储单元，其中所述特定数据样式用于将使电位电平反相的串扰施加到被连接至所述测试目标读出放大器的第一位线对，所述第二存储单元属于与所述第一位线对和所述第一字线相邻的第二位线对；并且，所述特定数据样式被写入第四存储单元，其中所述第四存储单元属于被连接到与所述测试目标读出放大器和所述第一字线相邻的读出放大器的第四位线对；然后，所述中间电位在所述第一存储单元中被恢复；然后，所述第一存储单元中的数据被读取以检查是否存在读数据错误。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，特定数据样式被写入第二和第三存储单元，其中所述特定数据样式用于将使电位电平反相的串扰施加到被连接至所述测试目标读出放大器的第一位线对，所述第二和第三存储单元属于与所述第一位线对和所述第一字线相邻的第二和第三位线对；并且，所述特定数据样式被写入第四存储单元，其中所述第四存储单元属于被连接到与所述测试目标读出放大器和所述第一字线相邻的读出放大器的第四位线对；然后，所述中间电位在所述第一存储单元中被恢复；然后，所述第一存储单元中的数据被读取以检查是否存在数据错误。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述第二、第一、第三和第四位线对被顺序地排列，连接到所述第一和第四位线对的读出放大器被置于所述位线的末端的一侧上，连接到所述第二和第三位线对的读出放大器被置于所述位线的末端的另一侧上，

并且，被写入在所述第二、第一、第三和第四存储单元中的所述特定数据样式是L、L、H、L或者H、H、L和H。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，与所述第二、第三和第四存储单元中的数据相同的数据被写入在所述第二、第三和第四位线对与所述第二字线的交叉位置处的存储单元。

6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，在所述测试模式中，如下操作被重复：将所述中间电位写入所述第一存储单元，并变换所述第二、第一、第三和第四存储单元与所述位线对的组合，并且在预充电之后读取所述数据。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，当在读数据中检测到错误时，所述第一位线对被冗余位线对替换。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，当在读数据中检测到错误时，不仅所述第一位线对，而且在连接到所述第一位线对的读出放大器的相反侧上的位线对也被冗余位线对替换。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述存储单元阵列具有冗余字线和冗余位线对，并且当单个位失效时，所述字线被冗余字线替换，当多个位失效时，所述位线被冗余位线替换，并且在所述测试模式中，在检查所述第一存储单元中是否存在读数据错误之后，如下操作被重复：接收用于选择与所述第一字线不同的字线，并且读取所述第一存储单元的数据，同时不管所述命令如何都保持所述第一字线选择状态。