[发明专利]用于保护对准标记的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

形成半导体衬底；

在所述半导体衬底上方形成对准标记；

在所述半导体衬底上方形成介电层；以及

在所述介电层上方形成覆盖氧化物薄膜，其中所述覆盖氧化物薄膜具有的厚度配置为在平坦化处理期间使所述对准标记的降级最小化。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法为用于保护在所述半导体衬底上方形成的所述对准标记的方法。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖氧化物薄膜具有常规厚度和附加厚度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述覆盖氧化物薄膜的单次沉积中形成所述常规厚度和附加厚度。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在第一沉积工序中形成所述常规厚度而在第二沉积工序中形成所述附加厚度。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述附加厚度具有所述常规厚度的约25％和约35％之间的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖氧化物薄膜的厚度为约2000。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括刻蚀所述介电层的一部分和所述覆盖氧化物薄膜以暴露所述半导体衬底而形成通孔；

用金属填充所述通孔；以及

对所述金属和所述覆盖氧化物薄膜进行化学机械抛光以形成通孔接触。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述化学机械抛光包括以下步骤：

主化学机械抛光以抛光所述金属；以及

补充机械抛光以抛光所述覆盖氧化物薄膜。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述化学机械抛光处理包括去除填充在所述通孔中的部分所述金属层以及所述覆盖氧化物薄膜，其中所述介电层为抛光终止层。

11.一种装置，包括：

半导体衬底；

在所述半导体层衬底上方形成的对准标记；

在所述半导体衬底上方形成的介电层；以及

在所述介电层上方形成的覆盖氧化物薄膜，其中所述覆盖氧化物薄膜具有的厚度配置为在平坦化处理期间使所述对准标记的降级最小化。

12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述装置配置为保护在所述半导体衬底上方形成的所述对准标记。

13.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述覆盖氧化物薄膜具有常规厚度和附加厚度。

14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，在所述覆盖氧化物薄膜的单次沉积中形成所述常规厚度和附加厚度。

15.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，在第一沉积工序中形成所述常规厚度而在第二沉积工序中形成所述附加厚度。

16.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述附加厚度具有所述常规厚度的约25％和约35％之间的厚度。

17.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述覆盖氧化物薄膜的厚度为约2000。

18.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，

刻蚀所述介电层的一部分和所述覆盖氧化物薄膜以暴露所述半导体衬底而形成通孔；

用金属填充所述通孔；以及

对所述金属和所述覆盖氧化物薄膜进行化学机械抛光。

19.根据权利要求18所述的装置，其特征在于，通过以下步骤对所述金属和所述覆盖氧化物薄膜进行化学机械抛光：

主化学机械抛光以抛光所述金属；以及

补充机械抛光以抛光所述覆盖氧化物薄膜。

20.根据权利要求18所述的装置，其特征在于，通过去除所述通孔中填充的部分金属和所述覆盖氧化物薄膜而对所述金属和所述覆盖氧化物薄膜进行化学机械抛光，其中所述介电层为抛光终止层。