[发明专利]在还原气氛下固化介电膜

权利要求书

1.一种形成多孔介电膜的方法，该方法包括：

在衬底的至少一部分上形成包括Si、C、O、H和Si-CH₃基团的复合膜，其中所述复合膜包括至少一种含硅的结构形成材料和至少一种含碳的成孔材料；和

将所述复合膜暴露于活化的化学物质，从而至少部分地改性所述含碳成孔材料，其中在暴露步骤后通过FTIR测定，在如此沉积的膜中至少90％的Si-CH₃物质保留在所述膜中。

2.权利要求1的方法，其中通过将气体暴露于射频能量源来形成所述活化的化学物质，其中所述气体包括选自以下的气体：H₂、CO、CO₂、C_1-10直链或支链、环或多环的、饱和或不饱和烃、肼及其衍生物、硫及其氧化物、H₂S、氢化物、硼烷、氨、胺、硅烷、有机硅烷、膦、胂、以及它们的混合物。

3.权利要求1的方法，其中所述活化的化学物质通过将气体暴露于热丝能量源而形成，其中所述气体包括选自以下的气体：H₂、CO、CO₂、C_1-10直链或支链、环或多环的、饱和或不饱和烃、肼及其衍生物、硫及其氧化物、H₂S、氢化物、硼烷、氨、胺、硅烷、有机硅烷、膦、胂、以及它们的混合物。

4.权利要求1的方法，其中所述活化的化学物质通过将气体暴露于电子附着能量源而形成，其中所述气体包括选自以下的气体：H₂、CO、CO₂、C_1-10直链或支链、环或多环的、饱和或不饱和烃、肼及其衍生物、硫及其氧化物、H₂S、氢化物、硼烷、氨、胺、硅烷、有机硅烷、膦、胂、以及它们的混合物。

5.权利要求1的方法，其中至少一种含硅结构形成材料选自有机硅烷、有机硅氧烷以及它们的混合物。

6.权利要求1的方法，其中所述暴露步骤与将所述复合膜暴露于至少一种能量源的步骤协同进行。

7.权利要求6的方法，其中在将所述复合膜暴露于活化的化学物质步骤之前，进行将所述复合膜暴露于至少一种能量源的步骤。

8.权利要求6的方法，其中在将所述复合膜暴露于活化的化学物质步骤之后，进行将所述复合膜暴露于至少一种能量源的步骤。

9.权利要求6的方法，其中将所述复合膜暴露于至少一种能量源的步骤与将所述复合膜暴露于活化的化学物质步骤同时进行。

10.权利要求6的方法，其中以脉冲的方式进行将所述复合膜暴露于至少一种能量源的步骤和将所述复合膜暴露于活化的化学物质步骤。

11.权利要求2的方法，其中所述射频能量源是远端射频能量源。

12.权利要求3的方法，其中所述热丝能量源是远端热丝能量源。

13.权利要求6的方法，其中所述至少一种能量源选自：α-粒子、β-粒子、γ-射线、x-射线、高能电子、电子束能量源、紫外辐射、热、可见辐射、红外辐射、微波辐射、射频辐射、热丝以及它们的组合。

14.权利要求10的方法，其中至少一种能量源包括紫外辐射。

15.权利要求1的方法，其中所述多孔介电膜由式Si_vO_wC_xH_yF_z表示，其中v+w+x+y+z＝100原子％，v为10至35原子％，w为10至65原子％，x为5至30原子％，y为10至50原子％和z为0至15原子％。

16.权利要求15的方法，其中所述形成步骤包括：

在真空室中提供衬底；

将包括至少一种选自有机硅烷和有机硅氧烷的含硅的结构形成前体气体和不同于至少一种含硅的结构形成前体气体的含碳的成孔前体气体的气态试剂引入到真空室中；并且

将能量施加到真空室中的气态试剂上，从而引发气态试剂反应而在衬底上沉积复合膜。