[发明专利]具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管

权利要求书

1.一种隧道二极管，其包括：

一n+掺杂层(52)；

一邻接于所述n+掺杂层(52)的n-掺杂层(53)；

一位于所述n-掺杂层(53)上，与所述n+层(52)相对的势垒层(54)；以及

一在所述势垒层(54)上与所述n-掺杂层(53)相对的金属层(56)，所述n-掺杂层(53)与所述势垒层(54)形成一接面，该接面具有一势垒电压(81)，由于在正向偏压下通过所述势垒电压(81)的电子隧道效应的结果，使所述二极管的通态压降低。

2.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述势垒层(54)具有压电偶极，藉由增强电子隧道效应使该二极管的通态压降低。

3.如权利要求2所述的二极管，其特征在于，所述压电偶极的数目随着所述势垒层厚度的增加而增加，同时仍然允许穿隧电流。

4.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述n+掺杂层(52)，n-掺杂层(53)和势垒层(54)包括极性材料。

5.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述n+掺杂层(52)，n-掺杂层(53)和势垒层(54)是由复合的极性氧化物或它们的组合物形成的。

6.如权利要求5所述的二极管，其特征在于，所述复合的极性氧化物从包括钛酸锶、铌酸锂、钛酸铅锆的组中选出。

7.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述n+掺杂层(52)，n-掺杂层(53)和势垒层(54)是由二元极性氧化物形成的。

8.如权利要求7所述的二极管，其特征在于，所述二元极性氧化物是氧化锌。

9.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述二极管还包括一在所述势垒层的表面上的沟槽结构(121)，其深度可达所述n-掺杂层(123、124)，所述二极管在反向偏压下经受一反向漏电电流，所述沟槽结构(121)降低了所述反向漏电电流量。