[发明专利]相变存储器的感测电路及方法无效
| 申请号： | 200710142311.1 | 申请日： | 2007-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101364424A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 林烈萩;许世玄;江培嘉 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 蒲迈文;黄小临 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 电路 方法 | ||
1.一种相变存储器的感测电路，包括：
一储存电容与一参考电容，其第一端分别通过一第一开关耦接至一预充电压；
一储存存储元件与一参考存储元件，其第一端分别通过一第二开关耦接至该储存电容与该参考电容的该第一端；
一储存放电开关与一参考放电开关，分别耦接至该储存存储元件与该参考存储元件的第二端；以及
一判断装置，耦接至该储存存储元件与该参考存储元件的该第一端，并提供一输出作为该储存存储元件存储状态的读取结果。
2.如权利要求1所述的相变存储器的感测电路，其中该储存存储元件与该参考存储元件为相变组件。
3.如权利要求1所述的相变存储器的感测电路，其中该判断装置为一数字电路。
4.如权利要求3所述的相变存储器的感测电路，其中该数字电路为一SR锁存器。
5.如权利要求1所述的相变存储器的感测电路，其中该储存放电开关与该参考放电开关为金属氧化物半导体晶体管。
6.如权利要求1所述的相变存储器的感测电路，其中，于读取该储存存储元件的一第一阶段中，所述第一开关为闭路，所述第二开关为断路，且该储存放电开关与该参考放电开关为断路。
7.如权利要求1所述的相变存储器的感测电路，其中，于读取该储存存储元件的一第二阶段中，所述第一开关为断路，所述第二开关为闭路，且该储存放电开关与该参考放电开关为闭路。
8.如权利要求1所述的相变存储器的感测电路，其中该储存电容与该参考电容的第二端接地。
9.一种相变存储器的感测方法，包括：
对一储存电容与一参考电容进行充电或放电；
通过一储存存储元件与一参考存储元件将该储存电容与该参考电容放电或充电；以及
以一判断装置检测该储存存储元件与该参考存储元件的一端电压的转态时间点，并以其转态时间点的先后判断该储存存储元件的储存状态。
10.如权利要求9所述的相变存储器的感测方法，其中该储存存储元件与该参考存储元件为相变组件。
11.如权利要求9所述的相变存储器的感测方法，其中该判断装置为一数字电路。
12.如权利要求11所述的相变存储器的感测方法，其中该数字电路为一SR锁存器。
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