[发明专利]曝光制程、像素结构的制造方法及其使用的半调式光掩模有效
| 申请号： | 200710142320.0 | 申请日： | 2007-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101369095A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 洪国峰;张原豪 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/14;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 曝光 像素 结构 制造 方法 及其 使用 调式 光掩模 | ||
1.一种半调式光掩模，适用于一曝光制程中，而形成尺寸均匀的多个光阻 图案，其特征在于，该半调式光掩模包括：
一透明基板；以及
多个光掩模图案，沿着一设定方向设置于该透明基板上，其中，该些光掩 模图案的尺寸是沿着该设定方向而渐进变化，
每一该些光掩模图案包括：
一半透光区；以及
一遮光区，设置于该半透光区的周围；
其中，该半透光区的尺寸是沿着该设定方向而渐进变化；
当该些光掩模图案的尺寸是沿着该设定方向而渐进变小时，该些半透光区 的尺寸是沿着该设定方向而渐进变大，该些遮光区的尺寸是沿着该设定方向而 渐进变小；
当该些光掩模图案的尺寸是沿着该设定方向而渐进变大时，该些半透光区 的尺寸是沿着该设定方向而渐进变小，该些遮光区的尺寸是沿着该设定方向而 渐进变大。
2.一种曝光制程，其特征在于包括：
提供一基板，该基板上已形成有一光阻层；
提供一半调式光掩模，该半调式光掩模包括一透明基板以及多个光掩模图 案，其中，该些光掩模图案沿着一设定方向而设置于该透明基板上，该些光掩 模图案的尺寸是沿着该设定方向而渐进变化；
利用该半调式光掩模为罩幕，对该光阻层进行曝光，以在该光阻层中形成 多个预光阻图案，其中，该些预光阻图案的尺寸沿着该设定方向而渐进变化； 以及
显影该光阻层，以形成尺寸相同的多个光阻图案，
每一该些光掩模图案包括：
一半透光区；以及
一遮光区，设置于该半透光区的周围；
其中，该半透光区的尺寸是沿着该设定方向而渐进变化；
当该些光掩模图案的尺寸是沿着该设定方向而渐进变小时，该些半透光区 的尺寸是沿着该设定方向而渐进变大，该些遮光区的尺寸是沿着该设定方向而 渐进变小；
当该些光掩模图案的尺寸是沿着该设定方向而渐进变大时，该些半透光区 的尺寸是沿着该设定方向而渐进变小，该些遮光区的尺寸是沿着该设定方向而 渐进变大。
3.如权利要求2所述的曝光制程，其特征在于，该些预光阻图案的尺寸是 沿着该设定方向而渐进变大。
4.如权利要求2所述的曝光制程，其特征在于，该些预光阻图案的尺寸是 沿着该设定方向而渐进变小。
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