[发明专利]半导体装置的制造设备以及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 200710142495.1 | 申请日: | 2007-08-27 |
公开(公告)号: | CN101130218A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 田中幸一郎;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | B23K26/36 | 分类号: | B23K26/36;B23K26/06;B23K26/04;B23K26/40;H01L21/00;H01L21/268 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 浦柏明;张志醒 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 设备 以及 方法 | ||
1.一种制造设备,包括:
发射激光束的光源单元;
将所述激光束形成为矩形状和线状中的至少一方的光学系统;
选择性地遮光控制所述具有矩形状和线状中的至少一方的激光束的光控制单元;以及
将经过所述光控制单元的激光束扫描在被照射物的表面上的扫描单元,
其中,经过所述光控制单元的激光束去除所述被照射物的照射区域。
2.一种制造设备,包括:
发射激光束的光源单元;
将所述激光束形成为矩形状和线状中的至少一方的光学系统;
选择性地反射控制所述具有矩形状和线状中的至少一方的激光束的光控制单元;以及
将被所述光控制单元反射的激光束扫描在被照射物的表面上的扫描单元,
其中,被所述光控制单元反射的激光束去除所述被照射物的照射区域。
3.根据权利要求1所述的制造设备,其中所述光控制单元根据输入的电信号切换该光控制单元的遮光部分和该光控制单元的透光部分。
4.根据权利要求1所述的制造设备,其中所述光控制单元根据输入的电信号切换该光控制单元的偏转部分和该光控制单元的透光部分。
5.根据权利要求2所述的制造设备,其中所述光控制单元根据输入的电信号切换该光控制单元的反射方向。
6.根据权利要求1所述的制造设备,还包括控制所述光源单元及所述光控制单元的控制装置。
7.根据权利要求2所述的制造设备,还包括控制所述光源单元及所述光控制单元的控制装置。
8.根据权利要求1所述的制造设备,还包括控制所述光源单元、所述光控制单元及所述扫描单元的控制装置。
9.根据权利要求2所述的制造设备,还包括控制所述光源单元、所述光控制单元及所述扫描单元的控制装置。
10.根据权利要求1所述的制造设备,其中所述具有矩形状和线状中的至少一方的激光束的长边方向与由所述扫描单元扫描的方向正交。
11.根据权利要求2所述的制造设备,其中所述具有矩形状和线状中的至少一方的激光束的长边方向与由所述扫描单元扫描的方向正交。
12.根据权利要求1所述的制造设备,
其中,所述被照射物为在衬底上依次层叠第一材料层和第二材料层的叠层,
并且,通过照射激光束烧蚀所述第一材料层和所述第二材料层中的至少一方,来去除所述第二材料层。
13.根据权利要求2所述的制造设备,
其中,所述被照射物为在衬底上依次层叠第一材料层和第二材料层的叠层,
并且,通过照射激光束烧蚀所述第一材料层和所述第二材料层中的至少一方,来去除所述第二材料层。
14.根据权利要求1所述的制造设备,
其中,所述被照射物为在衬底上依次层叠第一材料层和第二材料层的叠层,
并且,通过照射激光束烧蚀所述第一材料层和所述第二材料层中的至少一方,来去除所述第一材料层和所述第二材料层。
15.根据权利要求2所述的制造设备,
其中,所述被照射物为在衬底上依次层叠第一材料层和第二材料层的叠层,
并且,通过照射激光束烧蚀所述第一材料层和所述第二材料层中的至少一方,来去除所述第一材料层和所述第二材料层。
16.根据权利要求1所述的制造设备,
其中,所述被照射物为在衬底上依次层叠第一材料层、第二材料层和第三材料层的叠层,
并且,通过照射激光束烧蚀所述第二材料层,来去除所述第二材料层和所述第三材料层。
17.根据权利要求2所述的制造设备,
其中,所述被照射物为在衬底上依次层叠第一材料层、第二材料层和第三材料层的叠层,
并且,通过照射激光束烧蚀所述第二材料层,来去除所述第二材料层和所述第三材料层。
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