[发明专利]三层抗蚀剂有机层蚀刻

权利要求书

1.一种在多孔低-k介电层中形成双镶嵌特征的方法，包括，

在所述多孔低-k介电层中形成通孔；

在所述多孔低-k介电层上形成一有机平面化层，其中所述有机层填充所述通孔；

在所述有机平面化层上形成一光致抗蚀剂掩模；

在所述有机平面化层中蚀刻出特征，其包括：

提供一含CO₂的蚀刻气体；以及

由含CO₂的蚀刻气体形成等离子体，用它来蚀刻所述有机平面化层；

使用所述有机平面化层作为掩模在多孔低-k介电层中蚀刻出沟槽；和

剥离所述有机平面化层。

2.如权利要求1所述的方法，其中含CO₂的蚀刻气体基本上由CO₂和CO组成。

3.如权利要求2所述的方法，其中，在低-k介电层中蚀刻出特征包括提供一不同于所述含CO₂气体的介电蚀刻气体。

4.如权利要求2所述的方法，其中，在低-k介电层中蚀刻出特征包括提供一含氟气体并将所述含氟气体转变成等离子体。

5.如权利要求4所述的方法，进一步包括：

在所述有机平面化层上形成氧化物盖层；以及

在所述氧化物盖层上形成BARC，其中所述光致抗蚀剂掩模形成在所述BARC上。

6.如权利要求5所述的方法，进一步包括在多孔低-k介电层下的一阻挡层形成开口。

7.如权利要求6所述的方法，进一步包括在有机平面化层中蚀刻出特征前，在单一步骤中在所述BARC和所述氧化物盖层中蚀刻出特征，其包括：

提供一含氟气体；以及

将所述含氟气体转变成等离子体。

8.如权利要求1所述的方法，其中含CO₂的蚀刻气体基本上由CO₂组成。

9.如权利要求8所述的方法，其中，在低-k介电层中蚀刻出特征包括提供一不同于含CO₂的气体的一介电蚀刻气体。

10.如权利要求8所述的方法，其中，在低-k介电层中蚀刻出特征包括提供一含氟气体并将所述含氟气体转变成等离子体。

11.如权利要求10所述的方法，进一步包括；

在所述有机平面化层上形成氧化物盖层；以及

在所述氧化物盖层上形成BARC，其中所述光致抗蚀剂掩模形成在所述BARC上。

12.如权利要求11所述的方法，进一步包括对多孔低-k介电层下的一阻挡层形成开口。

13.如权利要求12所述的方法，进一步包括在所述有机平面化层中蚀刻出特征前，在单一步骤中在所述BARC和所述氧化物盖层中蚀刻出特征，其包括：

提供一含氟气体；以及

将所述含氟气体转变成等离子体。

14.如如权利要求13所述的方法，其中，在所述有机平面化层中蚀刻出特征的过程使所述BARC除去。

15.如如权利要求14所述的方法，其中在所述低-k介电层中蚀刻出特征的过程使所述氧化物盖层除去。

16.如如权利要求1所述的方法，其中在所述有机平面化层中蚀刻出特征的过程使部分所述低-k介电层暴露。

17.一种在多孔低-k介电层中形成双镶嵌特征的方法，包括：

在所述多孔低-k介电层中形成通孔；

在所述多孔低-k介电层上形成一有机平面化层，其中所述有机层填充所述通孔；

在所述有机平面化层上形成一光致抗蚀剂掩模；

以暴露部分所述低-k介电层而不损伤所述低-k介电层的方式，在所述有机平面化层中蚀刻出特征；

使用所述有机平面化层作为掩模，在所述多孔低-k介电层中蚀刻沟槽；

剥离所述有机平面化层。

18.一种用于在介电层中形成沟槽的设备，所述介电层中已经形成有通孔，所述介电层上已经形成一个用于填充所述通孔并形成一平坦表面的有机平面化层，在该平坦表面上面已经形成有氧化物盖层、BARC以及沟槽掩模，包括：

一等离子体处理室，包括：

构成一等离子体处理室壳体的一室壁；

所述等离子体处理室壳体内的用于支撑衬底的一衬底支撑物；

用于调节所述等离子体处理室壳体内的压力的一压力调节器；

至少一个向所述等离子体处理室壳体提供功率来维持等离子体的电极；

向所述等离子体处理室壳体提供气体的一气体入口；以及

对所述等离子体处理室壳体进行排气的一气体出口；

与所述气体入口形成流体连接的一气源，包括：

一CO₂气源；以及

一含氟气源；以及

可控制地连接到所述气源和所述的至少一个电极的一控制器，包含：

至少一个处理器；以及

计算机可读介质，具有

用于蚀刻所述BARC和氧化物盖层的计算机可读代码，包括：

用于从所述含氟气源向所述等离子体处理室内部提供含氟气体的计算机可读代码；

用于将所述含氟气体变成等离子体的计算机可读代码；以及

用于停止所述含氟气体的计算机可读代码；

用于蚀刻所述有机平面化层的计算机可读代码，包括：

用于从所述CO₂气源提供含CO₂气体的计算机可读代码；

用于将所述含CO₂气体形成等离子体的计算机可读代码；以及

用于停止所述含CO₂气体的计算机可读代码；以及

用于通过所述有机平面化层在所述介电层中蚀刻沟槽的计算机可读代码，包括：

用于从所述含氟气源向所述等离子体处理室一内部提供含氟气体的计算机可读代码；以及

用于将所述含氟气体形成等离子体的计算机可读代码。