[发明专利]CMOS图像感测元件的制作方法

权利要求书

1.一种CMOS图像感测元件的制作方法，包含有：

提供基底，该基底定义有传感器阵列区与周边区；

形成至少一接触垫于该基底上的该周边区；

形成第一介电层于该基底上，且该第一介电层覆盖该接触垫；

进行第一蚀刻工艺，移除部分该第一介电层，以暴露出该接触垫以形成阶差；

在该周边区的该第一介电层上形成光挡层；

形成多个彩色滤光片于该传感器阵列区的该第一介电层上；

形成平坦层于这些彩色滤光片及该光挡层上；以及

形成多个微透镜于该平坦层表面。

2.如权利要求1所述的方法，其中该阶差的高度范围为1000-2000埃。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成该光挡层的步骤还包含有：

在该第一介电层表面形成遮盖层；

在该遮盖层表面形成光致抗蚀剂层；

提供具有光挡层图案的光掩模，并进行对准步骤；

利用该光掩模进行曝光及显影步骤，以图案化该光致抗蚀剂层；以及

利用该光致抗蚀剂层作为掩模蚀刻该遮盖层而在该周边区的该第一介电层上形成该光挡层。

4.如权利要求3所述的方法，其中该暴露出的该接触垫用以作为该对准步骤中的对准标记。

5.如权利要求3所述的方法，还包含形成第二介电层的步骤，在形成该光挡层之前进行，且该第二介电层覆盖该第一介电层与该暴露接触垫所形成的该阶差。

6.如权利要求5所述的方法，其中该阶差用以作为该对准步骤中的对准标记。

7.如权利要求5所述的方法，其中该阶差的高度范围为1000-2000埃。

8.如权利要求5所述的方法，还包含第二蚀刻工艺，在形成这些微透镜之后进行，用以蚀刻部分该第二介电层并暴露出该接触垫。

9.如权利要求1所述的方法，其中该光挡层包含有钛或氧化钛。

10.如权利要求1所述的方法，其中该传感器阵列区域包含有形成于该传感器阵列区域中的多个感光二极管，以及设置于这些感光二极管间的该基底中的多个绝缘体。

11.如权利要求1所述的方法，其中形成这些彩色滤光片的步骤还包含有：

进行第一旋转涂布工艺，以在该基底表面形成第一彩色滤光层；

进行第一图案转移步骤，以在该传感器区域的该第一介电层上形成至少一第一彩色滤光片；

进行第二旋转涂布工艺，以在该基底表面形成第二彩色滤光层；

进行第二图案转移步骤，以在该传感器区域的该第一介电层上形成至少一第二彩色滤光片；

进行第三旋转涂布工艺，以在该基底表面形成第三彩色滤光层；以及

进行第三图案转移步骤，以在该传感器区域的该第一介电层上形成至少一第三彩色滤光片。

12.一种CMOS图像感测元件的制作方法，包含有：

提供基底，该基底定义有传感器阵列区与周边区；

形成至少一接触垫于该基底上的该周边区；

形成介电层于该基底上，且该介电层覆盖该接触垫；

进行第一蚀刻工艺，移除位于该周边区的部分该介电层，以形成多个阶差；

在该周边区的该介电层上形成光挡层；

形成多个彩色滤光片于该传感器阵列区的该介电层上；

形成平坦层于这些彩色滤光片及该光挡层上；以及

形成多个微透镜于该平坦层表面。

13.如权利要求12所述的方法，其中形成该光挡层的步骤还包含有：

在该介电层表面形成遮盖层；

在该遮盖层表面形成光致抗蚀剂层；

提供具有光挡层图案的光掩模，并进行对准步骤；

利用该光掩模进行曝光及显影步骤，以图案化该光致抗蚀剂层；以及

利用该光致抗蚀剂层作为掩模蚀刻该遮盖层而于该周边区的该介电层上形成该光挡层。

14.如权利要求13所述的方法，其中这些阶差用以作为该对准步骤中的对准标记。

15.如权利要求14所述的方法，其中这些阶差的高度范围为1000-2000埃。

16.如权利要求12所述的方法，还包含第二蚀刻工艺，在形成这些微透镜之后进行，用以蚀刻该介电层并暴露出该接触垫。