[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种装置，该装置包含：

第一半导体衬底，其包含晶体管层，其中该晶体管层包含至少一个晶体管；

第二半导体衬底，其包含金属线层，其中该金属线层包含至少一条金属线；以及

连接电极，其使得所述至少一个晶体管与所述至少一条金属线电连接。

2.如权利要求1所述的装置，其中该第一衬底包含：在该晶体管层上的具有金属线层的半导体器件。

3.如权利要求1所述的装置，其中该第一衬底包含：连接于所述晶体管的接触塞。

4.如权利要求1所述的装置，其中该第二衬底包含：穿透电极，其连接于所述金属线，其中该穿透电极穿透该第二半导体衬底。

5.如权利要求4所述的装置，其中至少一条金属线和该穿透电极包含W、Cu、Al、Ag和Au的至少其中之一。

6.如权利要求4所述的装置，其中该连接电极通过该穿透电极电连接至该第二衬底的金属线。

7.如权利要求4所述的装置，其中该穿透电极暴露在该第二半导体衬底的表面上。

8.如权利要求4所述的装置，其包含由TaN、Ta、TiN、Ti和TiSiN的至少其中之一形成的用于该穿透电极的阻挡金属。

9.如权利要求1所述的装置，其包含由TaN、Ta、TiN、Ti和TiSiN的至少其中之一形成的用于该金属线的阻挡金属。

10.一种方法，其包含下列步骤：

形成第一半导体衬底，其包含晶体管层，其中该晶体管层包含至少一个晶体管；

形成第二半导体衬底，其包含金属线层，其中该金属线层包含至少一条金属线；以及

将该第二半导体衬底叠置于该第一半导体衬底上，其中所述叠置步骤包含将所述至少一个晶体管电连接至所述至少一条金属线。

11.如权利要求10所述的方法，其中通过至少一个连接电极将所述至少一个晶体管电连接至所述至少一条金属线。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述形成该第一半导体衬底的步骤包含：在该晶体管层上形成金属线层。

13.如权利要求10所述的方法，其中所述形成该第一半导体衬底的步骤包含：形成接触塞，其连接于所述晶体管。

14.如权利要求10所述的方法，其中所述形成该第二半导体衬底的步骤包含：

形成穿透电极，其穿透该第二半导体衬底；以及

在该第二半导体衬底上形成金属线，该金属线连接至该穿透电极。

15.如权利要求11所述的方法，其中所述形成该第二衬底的步骤包含：

在半导体衬底上形成金属线；以及

形成穿透电极，其穿透该半导体衬底并连接至该金属线。

16.如权利要求15所述的方法，其中通过该穿透电极使得该连接电极电连接于该金属线。

17.如权利要求16所述的方法，其中该穿透电极暴露在该第二半导体衬底的表面上。

18.如权利要求11所述的方法，其中该金属线和该穿透电极包含W、Cu、Al、Ag和Au的至少其中之一。

19.如权利要求14所述的方法，包含：形成用于该穿透电极的阻挡金属，该阻挡金属包含TaN、Ta、TiN、Ti和TiSiN的至少其中之一。

20.如权利要求11所述的方法，包含：使用TaN、Ta、TiN、Ti和TiSiN的至少其中之一形成用于该金属线的阻挡金属。