[发明专利]导电组合物、光电转换元件及其制备方法

权利要求书

1.一种导电组合物，至少包含：聚阴离子及含有吸电子官能团的高分子中的至少一种、共轭导电性高分子、向以碳为主要成分的团簇分子的碳原子中导入阴离子基而构成的团簇衍生物。

2.根据权利要求1所述的导电组合物，所述共轭导电性高分子是由一种或一种以上的共轭五元杂环化合物构成的高分子。

3.根据权利要求1所述的导电组合物，所述团簇衍生物是向选自笼状碳簇分子、球状碳簇分子及管状碳簇分子中的一种或一种以上的碳簇分子导入阴离子基而构成的。

4.根据权利要求3所述的导电组合物，所述团簇衍生物是向笼状碳簇分子导入阴离子基而构成的。

5.根据权利要求1所述的导电组合物，所述团簇衍生物的长轴长度小于等于100nm。

6.根据权利要求1所述的导电组合物，所述阴离子基为选自-O-SO₃X、-COOX、-SO₃X中的至少一种，其中，各式中的X表示氢原子或碱金属原子。

7.根据权利要求1所述的导电组合物，所述阴离子基是相对每个团簇分子导入两个或两个以上。

8.根据权利要求1所述的导电组合物，所述聚阴离子为聚异戊二烯磺酸及异戊二烯磺酸共聚物中的一种。

9.根据权利要求1所述的导电组合物，所述含有吸电子官能团的高分子为选自聚丙烯腈、聚乙二酰脲、聚1，1-二氟乙烯中的一种。

10.根据权利要求1所述的导电组合物，还包含除所述导电组合物中所含有的高分子以外的树脂成分。

11.一种具备叠层结构的光电转换元件，所述叠层结构在表面吸附有色素的n型半导体电极和电子传导性电极之间具有空穴输送性高分子电解质膜；

其中，所述空穴输送性高分子电解质膜包含聚阴离子和含有吸电子官能团的高分子中的至少一种、以及共轭体系导电性高分子。

12.根据权利要求11所述的光电转换元件，所述空穴输送性高分子电解质膜含有无机p型半导体。

13.根据权利要求11所述的光电转换元件，所述空穴输送性高分子电解质膜含有纤维状导电体。

14.根据权利要求13所述的光电转换元件，所述纤维状导电体是具有磺酸基的材料。

15.根据权利要求11所述的光电转换元件，所述空穴输送性高分子电解质膜是涂布在n型半导体电极上的涂层。

16.一种光电转换元件的制备方法，包括：将聚阴离子及含有吸电子官能团的高分子中的至少一种、共轭体系导电性高分子分散或溶解于溶剂中的工序；将得到的溶液涂布到n型半导体上，

除去溶剂，形成涂层的工序；然后，在该涂层上形成电子传导性电极的工序。