[发明专利]导电组合物及其制备方法

权利要求书

1.一种导电组合物，含有：通过酯基对主链结合阴离子基的聚阴离子(A)、以及共轭体系导电性高分子(B)。

2.根据权利要求1所述的导电组合物，在聚阴离子(A)中，所述阴离子基通过可以具有取代基的亚烷基及芳香族环中的至少一种与所述酯基结合。

3.根据权利要求1所述的导电组合物，所述阴离子基为磺酸基。

4.根据权利要求1所述的导电组合物，还含有除聚阴离子(A)以外的阴离子化合物(E)。

5.一种在存在聚阴离子(A)的条件下，化学氧化聚合共轭体系导电性高分子(B)的单体而得到的权利要求1所述的导电组合物。

6.一种权利要求1所述的导电组合物的制备方法，包括：

(1)在存在聚阴离子(A)的条件下，化学氧化聚合溶解或分散于溶剂中的共轭体系导电性高分子(B)的单体的工序；

(2)在上述工序结束后，用超滤法除去游离离子的工序。

7.根据权利要求6所述的导电组合物的制备方法，还包括(3)添加含有质子的溶液的工序。

8.一种导电组合物，其含有共轭导电性高分子和聚阴离子，共轭导电性高分子由选自聚吡咯类、聚噻吩类及聚苯胺类中的至少一种构成；

聚阴离子选自取代或未取代的聚亚烷基、取代或未取代的聚亚烯基、取代或未取代的聚酰亚胺、取代或未取代的聚酰胺、取代或未取代的聚酯，并且是由具有阴离子基的构成单位和不具有阴离子基的构成单位构成的聚合物，是在将具有阴离子基的构成单位的数目作为m、将不具有阴离子基的构成单位的数目作为n时m/n≤1的至少一种聚合物。

9.根据权利要求8所述的导电组合物，所述由具有阴离子基的构成单位和不具有阴离子基的构成单位构成的聚合物具有侧链，所述阴离子基与侧链结合。

10.根据权利要求8所述的导电组合物，所述由具有阴离子基的构成单位和不具有阴离子基的构成单位构成的聚合物是将取代或未取代的亚烯基作为构成单位的聚合物。

11.根据权利要求10所述的导电组合物，所述取代或未取代的亚烯基为取代或未取代的亚丁烯。

12.根据权利要求8所述的导电组合物，所述阴离子基是磺酸基和碳酸基中的至少一个。

13.根据权利要求8所述的导电组合物，所述聚阴离子含有的阴离子基的摩尔数比所述共轭导电性高分子含有的掺杂剂的摩尔数少。

14.根据权利要求8所述的导电组合物，还含有除所述聚阴离子以外的阴离子。

15.根据权利要求14所述的导电组合物，所述除聚阴离子以外的阴离子为有机磺酸。

16.一种在存在所述聚阴离子的条件下，氧化聚合所述共轭导电性高分子的单体的权利要求8所述的导电组合物的制备方法。

17.一种在存在所述聚阴离子和有机磺酸的条件下，氧化聚合所述共轭导电性高分子的单体的权利要求8所述的导电组合物的制备方法。