[发明专利]半导体晶圆的保持方法及其装置与半导体晶圆保持结构体有效
申请号: | 200710143269.5 | 申请日: | 2007-08-07 |
公开(公告)号: | CN101123175A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | 山本雅之 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 保持 方法 及其 装置 结构 | ||
技术领域
本发明涉及在搬送半导体晶圆、对工件实施各种处理的前期工序中,保持半导体晶圆的半导体晶圆的保持方法及半导体晶圆保持结构体,特别涉及借助支承用粘合带将半导体晶圆粘贴保持在环框上的技术。
背景技术
在从半导体晶圆(以下,简称“晶圆”)上切出半导体芯片的工序中,要进行如下处理。将晶圆粘贴保持在粘贴于环框上的支承用粘合带上,将该半导体晶圆的保持结构体带入到切割工序中,从而对被粘贴支承的晶圆实施切割处理及芯片分割处理(参照日本特开2003-234392号公报)。
但是,近年来,晶圆应电子设备的小型化、高密度安装等需要而向薄型化发展,晶圆的厚度已经超薄化到了几十μm。这样的超薄化的晶圆,出现了容易产生由于挠曲、曲翘而导致的裂纹、缺损等破损而难以处理的状况。因此,在从背面磨削后到被保持在环框上期间,为了使晶圆易于处理而磨削晶圆背面的中央部分,而在背面外周部分上残留形成环状凸部,使晶圆具有刚性。
残留形成有环状凸部的晶圆有效地使晶圆在被保持到环框上之前易于处理。但是,在切割工序之前,在借助粘合带将晶圆背面保持到环框上时,虽然将粘合带紧紧粘贴到环状凸部,但却未将粘合带粘贴到中央部分的扁平凹部。因此,存在在切割处理及分割芯片时,晶圆易从处于非保持状态的晶圆部分起破损的问题。
发明内容
本发明的目的在于,提供尽管晶圆被薄型化,也能够不使晶圆破损等而借助支承用粘合带将晶圆高精度地粘贴保持在环框上的半导体晶圆的保持方法及其装置、以及半导体晶圆的保持结构体。
本发明为了达到上述目的而采用如下结构。
借助支承用粘合带将半导体晶圆粘贴保持在环框上的半导体晶圆的保持方法,其中,上述方法包括以下过程:
在上述半导体晶圆的背面外周残留形成有环状凸部,该环状凸部围绕通过背面研磨形成的扁平凹部;
将该半导体晶圆的背面侧推压到被粘贴于环框上的粘合带的粘合面上,将上述环状凸部粘贴到粘合带上,并从粘合带的非粘合面侧推压粘合带而使其变形,从而将粘合带压入粘贴到晶圆背面的上述扁平凹部。
根据本发明的半导体晶圆的保持方法,尽管半导体晶圆被薄型化,也能在用外周部的环状凸部加强了的刚性高的状态下处理半导体晶圆。此外,通过将支承用粘合带压入到扁平凹部而用粘合带粘贴保持半导体晶圆的整个背面,能够在进一步提高了晶圆强度的状态下将半导体晶圆保持在环框上。
另外,在该方法中,优选粘贴过程为:用从扁平凹部的中心向扁平凹部的外周涡旋状旋转移动的粘贴构件推压粘合带,而将粘合带压入粘贴到扁平凹部。
根据该方法,通过一边从扁平凹部的中心部向扁平凹部的外周推压伸展粘合带一边进行粘贴,能够不产生起伏、皱纹而顺利地进行粘贴。其结果能够谋求提高粘贴精度。
另外,作为粘贴构件,例如,使用可弹性变形的刷状的构件。由此,能够不会过渡推压伸展粘合带、且连晶圆的细小部分也能进行推压伸展。因而,也能将粘合带可靠地粘贴到扁平凹部的外周拐角部。
此外,在该方法中,优选在旋转移动粘贴构件时,用压紧构件压住环框。
另外,压紧构件优选被构成为推压环框的多部位的多个辊,并与粘贴构件的旋转移动同步地在环框上滚动。
根据该方法,能够一边阻止环框f浮动、振动,一边将粘合带粘贴到扁平凹部。
此外,在该方法中,优选粘贴过程为:将可内嵌于扁平凹部的推压构件压入到扁平凹部,而将上述粘合带压入粘贴到扁平凹部。
根据该方法,仅仅移动推压构件使其压入到扁平凹部1次,就能够一举将粘合带压入粘贴到扁平凹部的整个区域。从而,有效缩短了处理时间。
另外,在该方法中,优选一边加热推压构件给粘合带加温,一边将粘合带压入粘贴到扁平凹部。
根据该方法,粘合带由于与压紧构件相接触而被适度软化,向扁平凹部压入时粘合带易于变形,从而能够可靠地对扁平凹部的外周拐角部进行粘贴。
此外,在该方法中,优选在减压状态中将粘合带粘贴到扁平凹部。
根据该方法,能够可靠地将支承用粘合带粘贴到扁平凹部的各处而不会将气泡卷入到粘贴面上。
此外,在该方法中,优选以吸附方式保持环框。
根据该方法,能够阻止旋转粘贴动作时环框的共转、微动。
此外,为了达到上述目的,本发明采用如下结构。
借助支承用粘合带将半导体晶圆粘贴保持在环框上的半导体晶圆的保持装置,其中,上述装置包括以下结构要素:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造