[发明专利]一次性可编程存储器、存储电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种一次性可编程存储器，其特征在于包括一层硅衬底，

在上述硅衬底表面形成场区，隔离MOS晶体管的P/N阱，MOS器件的栅介质层、多晶硅栅极层，临近上述多晶硅栅极的源极、漏极掺杂区，

位于上述场区、MOS晶体管的源极、漏极掺杂区以及多晶硅栅极表面的第一电介质层，

在上述第一电介层中形成的相互独立的第一和第二接触孔，上述第一接触孔引出MOS晶体管的漏极，上述第二接触孔引出MOS晶体管的源极，

分别形成于上述第一和第二接触孔的第一和第二互连金属层；

形成于上述第一接触孔和上述第一互连金属层之间或上述第二接触孔和上述第二互连金属层之间的第二电介质层。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于上述第二电介质层的击穿电压大于存储器的工作电压，小于MOS晶体管的栅极击穿电压以及源极、漏极的击穿电压。

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于上述第二电介质层为采用等离子增强化学气相淀积法形成的SiO₂、Si_xN_y、SiO_xN_y或者SiO₂/Si_xN_y复合电介质层。

4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于上述第二电介质层为采用化学气相淀积法、溅射、电子束蒸发或原子层化学气相淀积法形成的HfO₂、ZrO₂、Al₂O₃、Ta₂O₅电介质层。

5.根据权利要求3或4所述的存储器，其特征在于上述第二电介质层的厚度为10A至200A。

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于上述MOS晶体管为N型或P型。

7.一种一次性可编程存储器的存储电容器，其特征在于其是在MOS晶体管的漏极或源极的接触孔与金属互连层之间制成一层第二电介质层。

8.根据权利要求7所述的存储电容器，其特征在于上述第二电介质层的击穿电压大于存储器的工作电压，小于MOS晶体管的栅极击穿电压以及源极、漏极击穿电压。

9.根据权利要求8所述的存储电容器，其特征在于上述第二电介质层为采用等离子增强化学气相淀积法形成的SiO₂、Si_xN_y、SiO_xN_y或者SiO₂/Si_xN_y复合电介质层，上述电介质层的厚度为10A至200A。

10.根据权利要求8所述的存储电容器，其特征在于上述第二电介质层为采用化学气相淀积法、溅射、电子束蒸发或原子层化学气相淀积法形成的HfO₂、ZrO₂、Al₂O₃、Ta₂O₅电介质层，上述电介质层的厚度为10A至200A。

11.一种一次性可编程存储器的制造方法，其特征在于其包括下列步骤：

形成一层硅衬底，

在上述硅衬底表面形成场区，形成隔离MOS晶体管的P/N阱，形成MOS器件的栅介质层、形成多晶硅栅极层，植入MOS晶体管的源极、漏极掺杂区，

在上述场区、MOS晶体管的源极、漏极掺杂区及上述多晶硅栅极的表面形成第一电介质层，在上述第一电介层中形成相互独立的第一和第二接触孔，上述第一接触孔引出MOS晶体管的漏极，上述第二接触孔引出MOS晶体管的源极；

在上述第一接触孔或上述第二接触孔上形成第二电介质层，在上述第二电介质层/第一接触孔和上述第二接触孔/第二电介质层上形成第一互连金属层。