[发明专利]一种对准标记及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶体管的制造方法的技术领域，特别涉及一种新型的接触窗层的对准标记及其形成方法。

背景技术

普通的接触窗层对准标记，是做在切割道的有源区上，利用接触窗层的光刻和蚀刻，在金属前介质层上产生沟槽形成对准标记。晶面金属层光刻对准时，光刻对准机台通过获取接触窗层对准标记的光学信号来达到对准的目的。如图1所示，公知技术中接触窗层对准标记的形成是在切割道区域的单晶硅衬底11上的金属前介质层12上，利用光罩来光刻和蚀刻场金属前介质层形成沟槽，得到接触窗层对准标记。平面功率晶体管的制造工艺中，通常金属前介质层的厚度约为1-1.1μm，所以接触窗层对准标记沟槽的深度也在1-1.1μm范围内，然而晶面金属层的厚度一般在3μm以上，这就使得在晶面金属层沉积上去后，接触窗层对准标记沟槽处趋于平坦，造成光刻对准机台很难获取接触窗层对准标记的光学信号，产生对准精度下降或无法对准的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新的对准标记及其形成方法，解决对准困难，对准信号难以获取等问题，使对准的精度提高。

本发明提供了一种对准标记，在一衬底上依次形成有场氧化层、栅多晶硅层和金属前介质层，分别在场氧化层、栅多晶硅层和金属前介质层中依次形成相通的沟槽，将垒叠的多层沟槽作为该对准标记。

本发明提供了一种对准标记的形成方法，至少包括：

提供一衬底；

形成场氧化层覆盖该衬底，在切割道上的对准标记区域的场氧化层上形成沟槽；

形成栅多晶硅层覆盖该场氧化层，在覆盖上述切割道处的对准标记区域的上述栅多晶硅层上再形成沟槽；

形成金属前介质层覆盖该栅多晶硅层，在覆盖上述切割道处的对准标记区域的上述金属前介质层上再形成沟槽，以形成一对准标记。

作为优选，该形成方法中利用光刻和蚀刻形成上述沟槽。

作为优选，该形成方法中上述对准标记呈阶梯状。

本发明提供的对准标记及其形成方法使得金属前介质层的对准标记的沟槽深度加深，光刻时对准机台获取对准标记的光学信号变得更为容易，解决因对准标记过浅而产生的对准精度下降或无法对准的问题。

下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。对于所属技术领域的技术人员而言，从对本发明的详细说明中，本发明的上述和其他目的、特征和优点将显而易见。

附图说明

图1为现有技术中的对准标记的示意图。

图2A表示本发明一较佳实施例的有源层光罩。

图2B为本发明一较佳实施例的光刻后的场氧化层的剖面图。

图3A表示本发明一较佳实施例的叠对后的栅多晶硅层光罩和有源层光罩。

图3B为本发明一较佳实施例的光刻后的场氧化层和栅多晶硅层的剖面图。

图4A表示本发明一较佳实施例的叠对后的栅多晶硅层光罩、有源层光罩和接触窗层光罩。

图4B为本发明一较佳实施例的光刻后的场氧化层、栅多晶硅层和金属前介质层的剖面图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明所述的一种新型的接触窗层的对准标记作进一步的详细说明。

图2A和2B为本发明一较佳实施例的对准标记的第一步，利用有源层光罩31对单晶硅衬底21上的场氧化层22进行光刻或蚀刻处理，在切割道上对准标记区域开始蚀刻，形成沟槽，形状如图2B所示，在本实施例中，场氧化层22的厚度为1μm，当然，场氧化层的厚度，沟槽个数和形状可以是任意的，不受本实施例的限制。

图3A和3B为本发明一较佳实施例的对准标记的第二步，首先在场氧化层22上增加一层栅多晶硅层23，利用栅多晶硅层光罩32将栅多晶硅层23进行光刻或蚀刻处理，在切割道上对准标记区域开始蚀刻，形成沟槽，如图3B所示，其中，栅多晶硅层23的沟槽大于场氧化层22的沟槽，因此沟槽处呈阶梯状，栅多晶硅层光罩32比有源层光罩31的开口大，在本实施例中，栅多晶硅层23的厚度为0.6μm，当然，栅多晶硅层的厚度，沟槽个数和形状可以是任意的，不受本实施例的限制。

图4A和4B为本发明一较佳实施例的对准标记的第三步，首先在栅多晶硅层23上增加一层金属前介质层24，再利用光罩33将金属前介质层24进行光刻或蚀刻处理，在切割道上对准标记区域开始蚀刻，形成沟槽，即对准标记，如图4B所示，其中，金属前介质层24的沟槽大于栅多晶硅层23的沟槽，因此沟槽处呈阶梯状，光罩33比栅多晶硅层光罩32的开口大，在本实施例中，金属前介质层24的厚度为1-1.1μm，当然，金属前介质层的厚度，沟槽个数和形状可以是任意的，不受本实施例的限制。