[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200710143655.4 | 申请日： | 2007-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101154661A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 铃木进也 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其是包括在驱动器输出电路中具有多个保护元件的LCD驱动器的半导体装置，所述半导体装置的特征在于，所述多个保护元件具有多个第1保护元件以及多个第2保护元件，所述第1保护元件包括第1p型半导体区域以及形成在所述第1p型半导体区域内的第1n型半导体区域，所述第2保护元件包括第2n型半导体区域以及形成在所述第2n型半导体区域内的第2p型半导体区域，所述第1保护元件以及所述第2保护元件分别各多个相邻地配置，所述第1保护元件的第1n型半导体区域与所述第2保护元件的所述第2p型半导体区域电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第1保护元件和所述第2保护元件配置为同一直线状。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，多个焊垫配置在所述第1保护元件或者所述第2保护元件上。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第1保护元件的所述第1n型半导体区域和所述第2保护元件的所述第2p型半导体区域与所述焊垫电连接。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第1保护元件的所述第1n型半导体区域和所述第2保护元件的所述第2p型半导体区域与所述驱动器输出电路的输出电连接。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述驱动器输出电路是源极驱动器。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述驱动器输出电路是栅极驱动器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
