[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710143735.X | 申请日： | 2007-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101118898A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 朱星中 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
层间介电层，在该半导体衬底上，具有镶嵌图案；
扩散阻碍件，形成于镶嵌图案中，包括CoFeB；
籽晶层，形成于在该扩散阻碍件上；以及
铜互连件，形成于该籽晶层上。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，该扩散阻碍件的厚度为500到1000。
3.一种半导体器件的制造方法，包括：
在半导体衬底上形成层间介电层；
在该层间5介电层中形成镶嵌图案；
在该层间介电层上沉积CoFeB以形成扩散阻碍件；
在该扩散阻碍件上沉积籽晶层；以及
将铜互连件填充到该镶嵌图案中。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，该扩散阻碍件的厚度为500到1000。
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