[发明专利]用于执行系统缺陷分析的方法和设备

权利要求书

1.一种将电路设计布局形状的正交投影提供在沃尔什图案的基上的方法，每个沃尔什图案由多个子窗组成，所述方法包括以下步骤：

a)将沃尔什图案表示为编号W的第一向量的集合，{WP₁，WP₂，......WP_W}，形成每个所述沃尔什图案具有相应分量的基，编号R，WP_i＝(WP_i¹，WP_i²，......，WP_i^R)，所述分量WP_i^j为+x或-x，其中x为实数，i在从1到W的范围内，并且j在从1到R范围内，每个所述元素WP_i^j对应于所述沃尔什图案的子窗；

b)定义包括所述电路设计布局形状的窗，并且将所述窗子划分为R个具有与所述沃尔什图案的分辨率相同的电路设计布局子窗；

c)计算每个电路设计布局子窗的密度，将所述密度映射到-x到+x的范围，并且从所述映射的密度形成具有维数R的第二向量A，其中A＝(A₁，A₂，......A_R)；

d)将所述映射的布局密度的第二向量A投影在所述W个沃尔什图案WP_i的每一个上；以及

e)从所述投影形成W维的第三向量P，所述第三向量P是所述窗在所述沃尔什图案基上的正交投影。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述的实数x等于1。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述子窗为矩形。

4.如权利要求1所述的方法，其中密度是从所述集成电路形状布局中提取的特征。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述窗是目标图案，组成该目标图案的布局形状产生投影向量T，并且其中所述窗是所述电路设计形状布局的多个所述窗中的一个，多个所述窗产生多个投影向量L_k，其中k在从1到N的范围内，并且N是所述电路设计布局形状的窗的个数。

6.如权利要求5所述的方法，还包括计算表示目标图案的所述投影向量T和表示所述电路设计形状布局的窗的每个投影向量L_k之间的欧几里得距离。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述欧几里得距离用于以最接近所述目标图案的窗在所述列表的开始的顺序，将其投影向量为L_k的所述N个布局窗在所述列表中排序。

8.如权利要求1所述的方法，其中R大于等于W，以允许布局的子划分比所述沃尔什图案更精细。

9.如权利要求5所述的方法，其中在选择所述目标图案之前提取电路设计形状布局密度，并且其中所述密度提取是高于目标窗的分辨率的分辨率，并且其中，从所述预先提取的密度随后生成所述布局窗。

10.如权利要求5所述的方法，其中由所述投影向量L_K表示的所述窗重叠，导致高分辨率搜索。

11.如权利要求1所述的方法，其中由沃尔什图案组成的基是所述沃尔什图案的全集的子集。

12.一种将电路设计布局形状的正交投影提供在沃尔什图案的基上的设备，每个沃尔什图案由多个子窗组成，所述设备包括：

a)用于将沃尔什图案表示为编号W的第一向量的集合，{WP₁，WP₂，......WP_W}，形成每个所述沃尔什图案具有相应分量的基，编号R，WP_i＝(WP_i¹，WP_i²，......，WP_i^R)，所述分量WP_i^j为+x或-x，其中x为实数，i在从1到W的范围内，并且j在从1到R范围内，每个所述分量WP_i^j对应于所述沃尔什图案的子窗的装置；

b)用于定义包括所述电路设计布局形状的布局窗，并且将所述电路设计布局窗子划分为R个具有与所述沃尔什图案的分辨率相同分辨率的子窗的装置；

c)用于计算每个电路设计布局子窗的密度，将所述密度映射到-x到+x的范围，并且从所述映射的密度形成具有维数R的第二向量A，A＝(A₁，A₂，......A_R)的装置；

d)用于将所述映射的布局密度的第二向量A投影在所述的W个沃尔什图案WP_i上的部件；以及

e)用于从所述投影形成W维的第三向量P的装置，所述第三向量P是所述布局窗在所述沃尔什图案的基上的正交投影。