[发明专利]导电性测量装置及其制造和使用有效
申请号: | 200710144174.5 | 申请日: | 2007-11-30 |
公开(公告)号: | CN101221141A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | A·季米特拉科普洛斯;P·拉贾戈帕兰;C·勒尼尼温;Y·盖涅;C·L·贝特利希三世 | 申请(专利权)人: | 米利波尔公司 |
主分类号: | G01N27/07 | 分类号: | G01N27/07 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 于辉 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 测量 装置 及其 制造 使用 | ||
1.制造用于测量液体,尤其是超纯水的导电性的装置的方法,所述装置包括两个导电性测量电极,所述导电性测量电极适于限定能够对超纯液体的导电性进行测量的器件常数,其特征在于所述方法包括用导电材料在绝缘材料的基体上形成电极图案来制成各个电极。
2.权利要求1的方法,其特征在于所述电极图案是通过对预先淀积在基体上或本身淀积在基体上的底层上的材料层进行刻蚀形成的。
3.权利要求1或2的方法,其特征在于所述基体的电绝缘材料选自石英玻璃、Mylar和硅中。
4.权利要求1至3中任一项的方法,其特征在于形成导电性测量电极的导电材料选自碳、铂、银、金、钛以及硼掺杂金刚石中。
5.权利要求1至4中任一项的方法,其特征在于导电性测量电极图案被制成由两个交叉梳形成的交互式结构的形式。
6.权利要求1至5中任一项的方法,其特征在于其还包括用导体或半导体材料在基体上形成图案的方式,在基体上制成热敏电阻。
7.权利要求6的方法,其特征在于所述热敏电阻的材料选自多晶硅、铂和硼掺杂金刚石中。
8.权利要求6或7的方法,其特征在于当所述或各个导电性测量电极的图案形成在热敏电阻形成材料的底层上时,通过在其间淀积电绝缘材料使其相互间隔开,所述电绝缘材料优选为二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)。
9.测量液体特别是超纯水的导电性的装置,所述装置包括两个导电性测量电极(15,16),所述导电性测量电极适于限定能够对超纯液体的导电性进行测量的器件常数,其特征在于各个电极的形式为电绝缘材料的基体(13)上的导电材料的图案。
10.权利要求9的装置,其特征在于其包括具有导电性测量腔(14)的器件,所述导电性测量腔通过所述器件上的液体入口和出口(21,22)与所述器件的外界相通,并且至少部分地覆盖所述导电性测量电极的图案。
11.权利要求10的装置,其特征在于所述器件包括两个辅助性组件(12,13),一个是形成所述导电性测量腔(14)的凹槽,而另一个形成所述基体(13),所述器件的液体的入口和出口形成在所述基体形成元件(13)上。
12.权利要求10-11中任一项的装置,其特征在于其包括两个部分(10,11)的壳体,通过它使所述器件被封装,以及将这两个部分夹紧(29a-29d)在一起的装配工具,以保证该导电性测量器件的液体密封性。
13.权利要求9-12中任一项的装置,其特征在于所述基体的电绝缘材料选自石英玻璃、Mylar和硅中。
14.权利要求9-13中任一项的装置,其特征在于形成所述导电性测量电极的导电材料选自碳、铂、银、金、钛以及硼掺杂金刚石中。
15.权利要求9-14中任一项的装置,其特征在于所述导电性测量电极的图案具有由两个交叉梳形成的交互式结构。
16.权利要求9-15中任一项的装置,其特征在于其进一步包括用导体或半导体材料在基体上形成图案的方式,在基体上制成热敏电阻(17)。
17.权利要求16的装置,其特征在于所述热敏电阻的材料选自多晶硅、铂和硼掺杂金刚石中。
18.权利要求16或17的装置,其特征在于当所述或各个导电性测量电极的图案形成在热敏电阻形成材料的底层上时,通过在其间淀积电绝缘材料使其相互间隔开,所述电绝缘材料优选为二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)。
19.权利要求9-18中任一项的装置,其特征在于在所述基体的背面具有专用于所述装置的电子元件。
20.用于测量液体样品中的总有机碳含量的装置,其包括:
-根据权利要求10-19中任一项的用于测量导电性的装置,其具有至少一个对紫外线透明的窗口(12),以对位于测量腔(14)中的液体样品进行光氧化。
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