[发明专利]低温合成碳化硼的方法无效
| 申请号： | 200710144486.6 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101172606A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 乔英杰;刘爱东;张晓红;方双全;宋宁;黄冕 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区南通*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 合成 碳化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温合成碳化硼的方法，其特征是：以聚乙烯醇为碳源，硼酸为硼源首先合成B-C化合物先驱体，然后将先驱体在空气中焙烧。
2.根据权利要求1所述的低温合成碳化硼的方法，其特征是：首先配制溶液浓度为1.0-1.5mol/L的聚乙烯醇(PVA)溶液和浓度为0.5-1.0mol/L的硼酸溶液；按照聚乙烯醇溶液与硼酸溶液的质量比为20-21∶10的比例将聚乙烯醇溶液和硼酸溶液在90～110℃水浴条件下混合得到白色絮状沉淀；然后将沉淀物在120℃温度下干燥，得到B-C化合物先驱体；最后将先驱体加热至800℃焙烧，得到多孔状黑色固体。
3.根据权利要求2所述的低温合成碳化硼的方法，其特征是：将得到的多孔状黑色固体进行球磨后得到粒径均在3μm以下的碳化硼粉末。
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