[发明专利]处理基材的设备和方法

说明书

相关申请的交叉参考

本申请要求2006年8月24日提交的韩国专利申请2006-80552的优先权，在此引入该韩国专利申请的全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及基材处理设备和方法。更具体地说，本发明涉及使用等离子体的基材处理设备和方法。

背景技术

半导体制造中需要使用光致抗蚀剂的平版印刷方法。光致抗蚀剂由对光敏感的有机高分子构成或由感光剂和高分子的混合物构成。在曝光和溶解后，在基材上形成的带图案的光致抗蚀剂用于将图案转录到基材上，同时蚀刻基材或在基材上形成的各层。这种高分子被称作光致抗蚀剂，使用光源在基材上形成微图案的方法被称作平版印刷方法。

在半导体制造方法中，借助于灰化，从基材除去用于形成线或各种微电路图案(例如，空间图案)或在离子注入中用作掩模的光致抗蚀剂。

在离子注入过程中使用于防止离子注入进基材上所需区域之外部分中的光致抗蚀剂硬化。因此，难于除去光致抗蚀剂。在光致抗蚀剂没有被完全除去的情况下，由于硬化的光致抗蚀剂表现出导电性，因此在基材上形成的电路配线之间可能发生电气短路。

发明内容

本发明的示例性实施例涉及一种用于除去基材上的光致抗蚀剂的基材处理设备。在示例性实施例中，所述基材处理设备可以包括：支撑部，用于支撑所述基材，使得所述基材的图案表面面向上方；干式处理部，用于将等离子体供应到所述基材上，以初次除去所述基材上的光致抗蚀剂；以及湿式处理部，用于将化学品供应到所述基材上，以第二次除去所述基材上的光致抗蚀剂。

本发明的示例性实施例涉及一种基材处理方法。在示例性实施例中，所述基材处理方法可以包括：装载基材，使得所述基材的图案表面面向上方；借助于等离子体供应单元产生等离子体，以初次除去所述基材上的光致抗蚀剂；以及将化学品供应到所述基材上，以第二次除去所述基材上的光致抗蚀剂。

附图说明

图1示出本发明第一实施例的基材处理设备。

图2示出本发明第一实施例的等离子体供应单元。

图3示出与射频电源连接的本发明第一实施例的第一电极。

图4和图5分别示出本发明的在扩散板中形成的扩散孔的形状。

图6A～图6D示出本发明第一实施例的基材处理设备的操作状态。

图7示出本发明第一实施例的基材处理方法的流程图。

图8示出本发明第二实施例的基材处理方法的流程图。

图9示出本发明第三实施例的基材处理方法的流程图。

图10示出本发明第二实施例的等离子体供应单元。

图11示出与电源连接的本发明第二实施例的第一电极和第二电极。

图12示出本发明第二实施例的基材处理设备的操作状态。

图13A和图13B示出本发明第三实施例的等离子体供应单元的操作状态。

图14示出本发明第四实施例的等离子体供应单元的操作状态。

具体实施方式

下面参考显示本发明优选实施例的附图，将更完整地描述本发明。然而，可以以许多不同的形式体现本发明，并且不应当认为本发明限制于在此描述的实施例。相反，提供这些实施例将使本发明内容清楚、完整，并向本领域技术人员充分表达本发明的范围。相同的附图标记始终表示相同的元件。

尽管下面以晶片W作为基材的一个例子进行说明，但本发明不限于这里的说明。

图1示出本发明第一实施例的基材处理设备1。基材处理设备1包括支撑部10、干式处理部20、湿式处理部30、干燥部40和容器50。

支撑部10用于支撑晶片W，使得晶片W的图案表面面向上方。支撑部10包括托盘12和与托盘12底部连接的支撑轴14。

托盘12大致呈圆盘形状。晶片W装载在托盘12上，并排叠放。在托盘12的顶面上设有多个夹持销12a和多个支撑销12b。夹持销12a设置在托盘12的边缘，支撑所装载的晶片W的侧部，支撑销12b设置在夹持销12a里面，支撑所装载的晶片W的底部。

支撑轴14与托盘12的底部连接，支撑托盘12。支撑轴14借助于第一驱动器16旋转，下面将说明。

第一驱动器16的一侧与支撑轴14的底部连接。如上所述，第一驱动器16使用电机等使支撑轴14旋转。托盘12和晶片W借助于支撑轴14而旋转。晶片W的旋转使等离子体和化学品被均匀地供应到晶片W的整个表面上。后面将说明等离子体和化学品。

当晶片W被装载到托盘12上/或从其上卸载或有这种处理需要时，第一驱动器16可以使托盘12升降。