[发明专利]制造微晶硅薄膜的方法

权利要求书

1.一种在电浆辅助化学气相沉积系统中制造半导体装置的方法，该系统包含处理室，其具有相互隔开的第一电极与第二电极，该方法包含：

在该第二电极上提供基板，该基板包含暴露于该第一电极的表面；

在该基板的该表面上制造半导体薄膜并在该半导体薄膜的成核阶段期间将第一偏压施加于该第二电极上，直至达到该半导体薄膜的预定厚度为止；以及

在达到该半导体薄膜的该预定厚度之后，将第二偏压施加于该第二电极上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是还包含在该成核阶段期间将负偏压施加于该第二电极上，以对该基板的该表面进行离子轰击。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是还包含在该成核阶段期间将正偏压施加于该第二电极上，以抑止该基板的该表面上的离子轰击。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征是还包含在达到该半导体薄膜的该预定厚度之后将正偏压施加于该第二电极上。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征是还包含在该成核阶段期间将直流电压、交流电压与至少一电压脉冲之一施加于该第二电极上。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征是还包含在达到该半导体薄膜的该预定厚度之后将直流电压、交流电压与至少一电压脉冲之一施加于该第二电极上。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征是该表面包含掺杂式氧化锡薄膜与掺杂式氧化锌薄膜中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征是该半导体薄膜包含微晶硅薄膜、微晶碳化硅薄膜、微晶硅锗薄膜、非晶硅薄膜或非晶硅锗薄膜中的至少一种。

9.一种能够在电浆辅助化学气相沉积系统中制造半导体装置的方法，该系统包含处理室，其具有相互隔开的第一电极与第二电极，该方法包含：

在该第二电极上提供基板，该基板包含暴露于该第一电极的表面；

在该基板的该表面上制造半导体薄膜；

在制造该半导体薄膜期间，将负偏压施加于该第二电极上达预定时间，以在该基板的该表面上产生成核点；以及

在该预定时间之后，将正偏压施加于该第二电极上，以减小该基板的该表面上的缺陷密度。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征是还包含将直流电压、交流电压与至少一电压脉冲之一施加于该第二电极上。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征是还包含在该预定时间之后将直流电压、交流电压与至少一电压脉冲之一施加于该第二电极上。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征是该负偏压的范围为约-5至-150伏特。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征是该正偏压的范围为约5至150伏特。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征是该半导体薄膜包含微晶硅薄膜、微晶碳化硅薄膜、微晶硅锗薄膜、非晶硅薄膜或非晶硅锗薄膜中的至少一种。

15.一种能够在电浆辅助化学气相沉积系统中制造半导体薄膜的方法，该系统包含处理室，其具有相互隔开的第一电极与第二电极，该方法包含：

在该第二电极上提供基板，该基板包含暴露于该第一电极的表面；

在该表面上制造第一半导体薄膜；

在制造该第一半导体薄膜期间，将第一偏压施加于该第二电极上；

在该第一半导体薄膜上制造第二半导体薄膜；以及

在制造该第二半导体薄膜期间，将第二偏压施加于该第二电极上。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征是进一步包含：

在该第二半导体薄膜上制造第三半导体薄膜；以及

在制造该第三半导体薄膜期间，将该第二偏压施加于该第二电极上。

17.根据权利要求15所述的方法，其特征是还包含：

在制造该第一半导体薄膜期间，将该第一偏压施加于该第二电极上，直至达到该第一半导体薄膜的预定厚度；以及

在制造该第一半导体薄膜期间，在达到该第一半导体薄膜的该预定厚度之后，将该第二偏压施加于该第二电极上。

18.根据权利要求15所述的方法，其特征是该第一半导体薄膜包含微晶硅薄膜、微晶碳化硅薄膜或微晶硅锗薄膜中的至少一种。