[发明专利]监视NAND闪速存储器件中的擦除阈值电压分布的方法

权利要求书

1.一种监视NAND闪速存储器件中的擦除阈值电压分布的方法，该方法包括：

擦除存储块；

通过对主单元施加第一编程电压来测量所述主单元的阈值电压； 

通过对周边单元施加第二编程电压来测量改变后的所述主单元的阈值电压和所述周边单元的阈值电压；

通过对所述周边单元施加第三编程电压来测量所述主单元的阈值电压和所述周边单元的阈值电压；

计算所述第二和第三编程电压与所述阈值电压之间的干扰关联；以及

使用所述干扰关联来获得所述主单元和所述周边单元的擦除分布。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，施加到所述周边单元的页的所述第一编程电压具有在约15V和约20V之间的值。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在计算所述干扰关联之前改变所述第二和第三编程电压，然后使用改变后的编程电压来重复测量所述主单元和所述周边单元的阈值电压。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在改变所述编程电压两次或三次之后重复测量所述主单元和所述周边单元的阈值电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述干扰关联表示为

Y＝aX+b。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，X是所述周边单元的擦除阈值电压值，

a是干扰耦合比，

b是在通过使用所述第一编程电压执行编程操作后所测量的所述主单元的阈值电压，以及

Y是由根据每个所测量的周边单元的阈值电压值的干扰所改变的所述主单元的阈值电压。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述擦除分布表示为

X′＝(Y′-b)/a。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，X′是所述周边单元的擦除阈值电压值，以及

Y′是所述主单元的改变后的阈值电压值。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述周边单元在位线的方向上或者在字线的方向上与所述主单元相邻。

10.一种监视NAND闪速存储器件中的擦除阈值电压分布的方法，该方法包括：

使用第一编程电压对主单元进行编程；

测量所述主单元的第一阈值电压值；

通过对与所述主单元相邻的周边单元施加第二编程电压来对所述周边单元进行编程；

测量由于所述周边单元的第一阈值电压和干扰效应而改变的所述主单元的第二阈值电压值；

通过对所述周边单元施加第三编程电压来对所述周边单元进行编程；

测量由于所述周边单元的第二阈值电压和干扰效应而改变的所述主单元的第三阈值电压；

计算第二和第三编程电压与所述主单元和所述周边单元的阈值电压之间的干扰关联；以及

使用所述干扰关联来获得所述主单元和所述周边单元的擦除分布。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述干扰关联表示为

Y＝aX+b。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，X是所述周边单元的擦除阈值电压值，

a是干扰耦合比，

b是在通过使用所述第一编程电压来执行所述编程操作后所测量的所述主单元的阈值电压，以及

Y是由根据每个所测量的周边单元的阈值电压值的干扰所改变的主单元的阈值电压。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述擦除分布表示为

X′＝(Y′-b)/a。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，X′是所述周边单元的擦除阈值电压值，以及

Y′是所述主单元的第二阈值电压值或第三阈值电压值。