[发明专利]等离子蚀刻工艺的控制装置有效
申请号: | 200710145687.8 | 申请日: | 2007-09-13 |
公开(公告)号: | CN101170052A | 公开(公告)日: | 2008-04-30 |
发明(设计)人: | 张世明;吕启纶 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/67;C23F4/00;H05H1/00;H01J37/32 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 蚀刻 工艺 控制 装置 | ||
1.一种等离子蚀刻工艺的控制装置,其特征在于包含一等离子控制结构,其中该等离子控制结构定义出一等离子流动通道,并且能够选择性地改变该等离子流动通道的尺寸。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于其中所述的装置包含具有该等离子控制结构的一等离子过滤器,其中该等离子控制结构包含能够支援相对运动的一第一等离子过滤器部件以及一第二等离子过滤器部件,该第一等离子过滤器部件具有定义出该等离子流动通道的一部分的一第一部分,以及该第二等离子过滤器部件具有定义出该等离子流动通道的另一部分的一第二部分,该第一等离子过滤器部件与该第二等离子过滤器部件的相对运动能够使该第一部分及与该第二部分使该等离子流动通道的实体尺寸产生变化。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于其中所述的第一部分为一第一孔洞以及第二部分为一第二孔洞。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于更包含一第三等离子过滤器部件,其中该第三等离子过滤器部件具有定义出该等离子流动通道的一又一部件的一第三部分,并且该第三部分为一第三孔洞。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于其中所述的第三孔洞具有与该第一孔洞及该第二孔洞至少其中之一不同的形状。
6.根据权利要求3所述的装置,其特征在于其中所述的等离子控制结构被设定用以限制该第一等离子过滤器部件与该第二等离子过滤器部件的相对运动,以维持通过该第一孔洞及该第二孔洞的一视线。
7.根据权利要求2所述的装置,其特征在于其中所述的第二等离子过滤器部件能够相对于该第一等离子过滤器部件进行旋转运动,以使该等离子流动通道的实体尺寸产生变化。
8.根据权利要求2所述的装置,其特征在于其中所述的第二等离子过滤器部件能够相对于该第一等离子过滤器部件进行直线移位,以使该等离子流动通道的实体尺寸产生变化。
9.,根据权利要求2所述的装置,其特征在于更包含一致动器部分,被设定用以执行该第一等离子过滤器部件及该第二等离子过滤器部件的相对位置的变化,以动态地改变该等离子流动通道的实体尺寸。
10.根据权利要求1所述的装置,其特征在于其中所述的等离子控制结构更包含能够支援该等离子流动通道的相对运动的一闸门,并且与该闸门耦接的一致动器被设定用以选择性地移动该闸门,以使该等离子流动通道的实体尺寸产生变化。
11.根据权利要求10所述的装置,其特征在于其中所述的等离子控制结构定义出多个进一步等离子流动通道以及多个进一步闸门,每一该些进一步闸门分别能够支援各个进一步等离子流动通道的相对运动,并有多个进一步致动器会分别连接至该些进一步闸门其中之一,以使该些进一步闸门产生能够分别改变该些进一步等离子流动通道的实体尺寸的运动。
12.根据权利要求1所述的装置,其特征在于其中所述的等离子控制结构能够改变流过该等离子流动通道的一等离子的一部分的速度。
13.根据权利要求12所述的装置,其特征在于其中所述等离子包含多个带电物质及多个中性物质,而该等离子的该部分则包含该些带电物质,并且其中该等离子控制结构被设定用以在不影响该些中性物质的速度的情况下,改变该些带电物质的速度。
14.根据权利要求12所述的装置,其特征在于其中所述的等离子控制结构定义出多个等离子流动通道,并且能够独立地改变流过该些等离子流动通道的等离子的一部分,在分别流过该些等离子流动通道时个别的速度。
15.根据权利要求14所述的装置,其特征在于其中所述的等离子控制结构为每一该些等离子流动通道配置一第一电极、一第二电极以及一电压源,并有一控制器能够独立地控制每一该些电压源,以分别于每一成对的该第一电极及该第二电极之间产生电压。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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